偶氮聚合物光存储研究进展

着重阐明了偶氮聚合物光存储纪录的原理,分析了其双折射特性的微观机制,介绍了该课题近年来实验和理论上的最新进展,对这一充满希望和挑战的多学科交叉研究专题作了展望。     

纳米抗癌药物载体的研究进展

与传统抗癌药物相比,纳米抗癌药物载体具有可在体内实现长循环,于癌症组织处富集,在体内缓慢可控释放,药物利用率高,药效高,并且生物相容性与可降解性良好的优点。目前已经实现包括纳米微粒、纳米胶束、树枝状大分子等多种结构的纳米抗癌药物载体的设计,选用的药物载体材料也涵盖多种聚酯以及蛋白质多肽等生物相容性良好的材料。     

基于等效积分的去除函数误差修正能力分析

针对计算机光学表面成形技术的去除理论中关于材料去除量及去除函数误差修正能力问题,基于等效去除积分法,对高斯型、三角形、梯形、脉冲随机复合型等多种不同形态的去除函数修正能力进行研究,通过频域分析去除函数的误差修正能力,获得调制参数与去除函数修正能力的关联曲线,建立基于等效去除积分法的去除函数截止修正能力评价模型,为去除函数误差修正的调制及去除函数修正能力评价提供依据,从而在大口径光学元件的超高精确度加工中,提高超光滑光学元件表面的质量。     

基于OMAPL138的高速信号处理系统信号完整性分析

以基于OMAPL138的高速数字信号处理系统为例,分析了信号完整性在高速电路设计中的重要性及问题产生原因,通过仿真提出了信号完整性问题中的反射和串扰的解决方案,并具体阐述了在实际工程设计中如何控制高速信号的时序,以及如何保证电源系统的完整性。实践证明,高速数字电路设计中,保证信号完整性可以有效的保障系统的稳定运行,提高设计的一次成功率。     

基于圆盘积分的体积光学测量系统设计

在不规则物体的体积测量中,用量杯进行人工测量是常用的一种方法。以不规则四棱锥的体积测量为例,结合激光学原理和CCD传感器成像技术,提出一种快速的自动测量方法。该方法利用TMS320F28335高速数字信号处理芯片作为主控电路,采用激光三角法和微积分中的圆盘法,实现不规则四棱锥的体积测量。该方法综合考虑了CCD 传感器动态成像时云点坐标的自动采集误差,并通过补全和最小二乘法来提高自动检测的精度和稳定性。实验结果表明,该系统的相对测量精度达到94%以上。     

视觉表征视角下中学化学教科书编排的“三序”结合*——以“物质结构”相关内容为例

教科书的编排有其内在的逻辑结构,视觉表征是教科书的重要组成部分,因此视觉表征的选用也应遵循一定的原则。研究借鉴Gkitzia等人的分析框架对人教版初、高中化学教科书中“物质结构”相关内容的视觉表征进行编码分析。在对表征类型及功能分布分析的基础上,结合教科书中物质结构相关知识内容的编排及学生认知、心理发展规律展开讨论。研究发现,人教版教科书中视觉表征的分布与教科书编排的“三序”原则较为契合,能够针对不同学段、学生特点选用视觉表征。最后,依据研究结论,针对教科书中视觉表征的编选和使用提出建议。     

福建省GSM信令网SCCP寻址方式

介绍了 Ｇ Ｓ Ｍ 数字移动通信网信令网中信令连接控制部分（ Ｓ Ｃ Ｃ Ｐ）的寻址方式，并针对福建省的实际情况，从信令网结构及全局码（ Ｇ Ｔ）翻译能力两个方面进行分析，提出了福建省 Ｇ Ｓ Ｍ信令网 Ｓ Ｃ Ｃ Ｐ 的寻址方式。     

RIBLLⅡ与CSRe中束流控制系统的设计

介绍了兰州重离子加速器冷却存储环（HIRFL-CSR）的实验环CSRe以及次级束线RIBLLⅡ中束流控制系统的设计。该系统主要采用了Java,COM,Oracle,ARM,DSP,FPGA等技术实现了对磁铁电源的实时、同步控制,已达到对束流的控制。该系统已经运行于现场的束流调试中,并在RIBLLⅡ的束流调试中运行正常、性能稳定。     

基于CloudStack和OpenStack的KVM虚拟机跨平台迁移方法

在CloudStack平台与OpenStack平台共存的环境中,为了使CloudStack平台中已创建的KVM虚拟机在迁移到OpenStack平台后可以被OpenStack平台的控制节点正确识别并接管,提出了一种将CloudStack平台中已经存在的虚拟机动态迁移到OpenStack平台的方法。通过将传统基于本地存储的KVM虚拟机迁移方法与CloudStack以及OpenStack云计算平台自身特点相结合,重新对虚拟机迁移相关文件进行组合,实现了虚拟机跨平台的动态迁移。实验结果表明,本方法不但可以完成将KVM虚拟机成功从CloudStack平台迁移到OpenStack平台的任务,而且在时间上与传统方法相比并未产生其他时间成本。     

光学元件精密加工中的磁流变抛光技术工艺参数

为了充分掌握磁流变抛光中磁场强度、浸入深度、抛光轮转速、磁流变液水分含量等工艺参数对抛光结果的影响规律,以期提高元件的面形精度和表面的质量,在研究了磁流变抛光材料的去除数学模型的基础上,结合实验室的PKC100-P1型抛光设备,对上述的关键工艺参数分别进行了研究,设置了一系列的实验参数,进行了详细的实验探索,分析了单因素条件下材料的去除量以及元件表面质量同关键工艺参数的内在联系,得出了相应影响关系曲线。从关系曲线表明:工艺参数对抛光斑的去除效率以及被加工元件表面质量存在着明显的影响规律,掌握这些影响关系就能用于分析和优化磁流变加工的结果,为高精度光学表面的加工提供可靠的保障,同时实验的结果也很好地验证了磁流变抛光材料去除理论的正确性。