单分子荧光成像技术下的运动员疲劳程度检测

无接触环境下对运动员疲劳程度进行检测是一项新型技术,提出基于单分子荧光成像技术的运动员疲劳程度检测方法,通过单分子荧光成像装置,获取运动员身体机能荧光信号,并计算荧光寿命数值,获取运动员心率、血氧饱和度、体温、运动能耗在不同运动强度下的变动值。将这4种身体机能荧光寿命变动值参数,带入BP神经网络模型进行迭代训练检测,获取运动员疲劳程度检测结果。实验结果显示,当20位运动员在8 km/h的长跑速度下,运动160 min后,其4种生理荧光寿命均逐渐变大,疲劳程度从10.55%提升至80.44%。经计算,该方法检测结果均方根误差较小,在50 dB背景噪声下,检测结果差值不超出所设定的允许误差范围。     

InP纳米线场效应晶体管的制备及其电学性能的研究

利用化学气相沉积法在Si/SiO2衬底上生长出了InP纳米线,制备了基于InP纳米线的底栅场效应晶体管并研究了其电输运特性.对不同生长温度器件的阈值电压、亚阈值斜率、场效应迁移率以及载流子浓度等参数进行了计算和比较.结果表明,生长温度对InP纳米线的形貌影响较大.800℃生长温度的InP纳米线性能较好,该器件阈值电压约为-8.5V,亚阈值斜率为142.4 mV/decade,跨导为258.6 nS,开关比＞106,场效应迁移率高达177.8cm2/(V·s),载流子浓度达2.1×101s cm-3.     

基于单根InAs纳米线场效应晶体管的制备及其电学性能研究

利用化学气相沉积法在Si衬底上生长合成了InAs纳米线,制备了基于InAs纳米线场效应晶体管并研究了电输运特性.对器件的阈值电压、亚阈值斜率、跨导、场效应迁移率以及载流子浓度等参数进行了计算和讨论.结果表明,InAs纳米线器件阈值电压约为-6.0 V,亚阈值斜率为180.86 mV/decade,跨导值达0.85 μS,最大开关比达108,场效应迁移率高达436.3 cm2/(V·s),载流子浓度达6.6×1017 cm-3.