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目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入.从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响.当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6V.DP注入能量在50 keY以下与高浓度n+区复合形成的pn结雪崩击穿耐压大于6V;当控制基区尺寸使n+集电区与DP基区的间距大于1.2 μm时击穿电压保持为7V,但是随着n+与DP基区的间距增加,电流导通路径受到挤压变窄,在相同的反向测试电流下,器件耐压略有提升.通过对单向TVS工艺仿真优化,选择了关键工艺参数,并进行了工程实验,制备了兼具低电容和高抗ESD能力的TVS器件,保证了对主器件实施可靠的保护. 相似文献
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分析了低压低电容TVS器件的击穿原理,从NPLUS集电极区杂质浓度、杂质注入能量及退火激活温度三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响,最终优化选择了工艺参数并制作了低压TVS器件。低压低电容TVS器件采用集成工艺将低电容二极管与TVS管集成在同一芯片上,解决了实际应用中低电容的需求。通过传输线脉冲测试器件展现了优良的抗ESD能力,有利于对主器件实施更可靠的保护。 相似文献
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