38 nm NAND闪存可靠性评估关键问题研究

通过提取阈值电压变化,研究了温度、连续读操作和α粒子辐射三种应力因子对38 nm SLC NAND闪存产品的可靠性影响。结果表明,温度和α粒子引起阈值电压的退化呈幂数规律,连续读操作则仅造成随机波动;低温(75 ℃)时,数据保持时间偏离激活能曲线的原因可能源于隧穿氧化层中的氟离子;单个存储单元晶体管级别的读噪声相比芯片整体更大。α粒子辐射可以诱发低水平的软错误几率。该研究结果为产品可靠性计划的制定和改善提供了重要依据。     

计算机网络服务质量优化方法研究探讨

随着我国科学技术的不断发展,计算机信息技术已经成为了我们生活中重要组成部分,可以说计算机网络服务的质量在一定程度上决定着我们经济发展的速度还有生活水平质量,如何使得计算机网络服务质量得到进一步优化,更好的符合生活以及发展需求,是相关工作人员一直探索的重要问题。本文对此进行简单的叙述。