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低色温高显色性大功率白光LED的制备及其发光特性研究 总被引:2,自引:3,他引:2
用GaN基大功率蓝光LED芯片作为激发光源,分别用荧光粉转换法和红光LED补偿法制备了不同相关色温及显色指数的白光LED。对器件的发光特性研究表明,采用监光LED芯片激发单一黄色荧光粉,虽可以获得光通量和发光效率较高的白光LED,但其色温较高,显色性较差;在黄色荧光粉中添加红色荧光粉,由于光谱中红色成分的增加,可降低器件的色温,并提高器件的显色性,但由于目前红色荧光粉的转换效率较低,致使器件的整体发光效率不高;采用蓝光LED芯片激发黄色荧光粉,同时用红光LED进行补偿,通过调整蓝光和红光LED芯片的工作电流以及荧光粉的用量,可获得低色温和高显色性白光LED,而且整体发光效率较高。 相似文献
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蓝色有机发光材料的开发对于实现有机发光二极管(OLED)的全彩色化具有十分重要的意义.报道了蓝色有机发光材料8-羟基喹啉硼化锂(LiBq4)的合成及提纯,研究了LiBq4的光致发光特性,并用LiBq4作为发光材料制备了蓝色有机发光器件,研究了电子传输层Alq3的厚度及空穴缓冲层CuPc对器件电流-电压和亮度-电压特性的影响.结果表明,LiBq4的光致发光峰值波长为452nm,器件ITO/PVK:TPD/LiBq4/Alq3/Al的电致发光光谱峰值波长位于475nm处,在25V工作电压下其最高亮度约为430cd/m2.但CuPc的加入加剧了器件中载流子的不平衡注入,导致器件性能恶化.通过调整Alq3的厚度,同时在Alq3和Al阴极之间加入LiF薄膜以提高电子注入效率,获得了较为理想的实验结果. 相似文献
3.
Fe-Al-N films were fabricated by reactive sputtering using a radio-frequency magnetron sputtering system. The effects of Al and N content and annealing temperature on microstructure and magnetic properties were investigated. The Fe-Al-N films, which have good soft magnetic properties, consist of nanocrystalline α-Fe grains and a small amount of other phases in the boundaries of α-Fe grains. The average α-Fe grain size is about 10-15nm. A slight amount of Fe-N and Al-N compounds precipitate in the boundaries of α-Fe grains and suppress their growth. Annealing improves the soft magnetic properties slightly by releasing the residual stress and reducing defects. 相似文献
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Alq3/ITO结构的表面和界面电子状态的XPS研究 总被引:3,自引:2,他引:1
用传统的真空蒸镀法制备了Alq3/ITO样品,并用X光电子能谱(XPS)研究了Alq3/ITO紧密接触的表面和界面电子化学状态。对Alq3/ITO样品的表面分析表明,在Alq3分子中,Al原子的束缚能(Eb)为70.7eV和75.1eV,分别对应于Al(0)和Al(Ⅲ)态;C原子的束缚能为285.8eV、286.3eV和286.8eV,分别对应于C-C、C-O和C-N键;N原子的主峰位于401.0eV,对应于C-N=C键;而O原子主要与H原子成键,其束缚能为532.8eV。为了研究Alq3/ITO的界面电子状态,我们用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀,当溅射时间分别为30,35,45分种时进行XPS采谱分析。结果表明,随着氩离子束溅射时间增长,Al2p、Cls、Nls、Ols、In3d5/2和Sn3d5/2峰都向低束缚能方向有微小移动,且Al2p、Cls和Nls峰变弱,这是受ITO中扩散进入Alq3层的O、In和Sn原子的影响所致。 相似文献
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采用旋涂和真空蒸发沉积工艺制备了结构分别为ITO/PVK:TPD/Alq3/Al和ITO/PVK:TPD/LiBq4/Alq3/Al的绿色和蓝色有机电致发光器件(OLED),并研究了空穴缓冲层CuPc对OLED特性的影响.结果发现:对于绿色OLED,CuPc的加入提高了器件的电流和亮度,改善了器件的性能;而对于蓝色OLED,CuPc的加入则加剧了载流子的不平衡注入,导致器件性能恶化.这表明空穴缓冲层CuPc对不同结构OLED的特性具有不同的影响,并通过器件的能级结构对此进行了解释. 相似文献
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聚乙烯咔唑/铟锡氧化物的界面分析 总被引:1,自引:1,他引:0
用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了真空蒸镀聚乙烯咔唑(PVK)薄膜的表面形貌和PVK/铟锡氧化物(ITO)界面电子状态。结果表明,PVK分子虽然体积较大,但分布较均匀。XPS数据显示,在界面处PVK分子骨架和SnO2分子结构几乎没有发生变化,但PVK分子的侧基和In2O2分子结构发生了变化,因为界面处存在大量的,不能用制备过程的空气污染来解释的C-O键;在界面处,In2O3分子部分分解,所产生O原子替代PVK侧基上的H原子而形成C—O键;所产生的In原子则扩散至PVK内部。 相似文献
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空穴缓冲层CuPc对有机电致发光器件特性的影响 总被引:6,自引:2,他引:4
采用旋涂和真空蒸发沉积工艺制备了结构分别为ITO/PVK:TPD/Alq3/Al和ITO/PVK:TPD/LiBq4/Alq3/Al的绿色和蓝色有机电致发光器件(OLED),并研究了空穴缓冲层CuPc对OLED特性的影响.结果发现:对于绿色OLED,CuPc的加入提高了器件的电流和亮度,改善了器件的性能;而对于蓝色OLED,CuPc的加入则加剧了载流子的不平衡注入,导致器件性能恶化.这表明空穴缓冲层CuPc对不同结构OLED的特性具有不同的影响,并通过器件的能级结构对此进行了解释. 相似文献