碲镉汞晶体研制及应用

本研究的目的在于实现８～１２μｍＨｇＣｄＴｅ晶体的商品化。文中介绍了其生长工艺和性能检测，用付里叶红外光谱仪测得标准组分偏差△＝０．００４，测得原生晶体的空穴浓度可低达７．０３×１０１６／ｃｍ３热处理后，晶体的Ｎｎ和μｎ分别为３．４～５．７×１０１４／ｃｍ３和（２．０６～２．２９）×１０５ｃｍ２／ｖ．ｓ用以上材料制成２４元至１６０元光导红外探测器阵列及３２元至６４元光伏红外探测器阵列，其实验数据表明所研制的晶体均能满足不同应用之需要。     

碲溶剂法生长碲镉汞晶体的数值模拟

提出了碲溶剂法在稳态条件下生长碲镉汞晶体的理论模型.该模型利用与时间相关的一维物质扩散方程组，熔区自由边界通过相图来确定.采用有限差分法完成了组分x=0.2的长波碲镉汞晶体生长过程的数值模拟.讨论了液相区温度场分布、加热器移动速度、液相区长度和生长界面温度对生长碲镉汞晶体轴向组分的影响.模拟结果与实验结果相符. 关键词：     

引晶技术在HgCdTe体单晶生长中的应用

本文论述引入籽晶技术定向生长ＨｇＣｄＴｅ体单晶，通过石英管相对于加热器的缓慢移动来使熔区移过均匀的合成锭达到晶体生长的目的。其结构完整性及组分均匀性得到改善，并且电参数优良。已制出多元光导及光伏器件。     

引晶技术在HgCdTe体单晶生长中的应用

引晶技术在ＨｇＣｄＴｅ体单晶生长中的应用郎维和（华北光电技术研究所北京１０００１５）ＨｇＣｄＴｅ是一种三元化合物，根据其化学配比可以在一定范围内制备各种禁带宽度的半导体光电材料。为了满足多元红外探测器的要求，我们进行引入籽晶技术生长ＨｇＣｄＴｅ晶体，...     

移动加热器法生长碲镉汞晶体的数值模拟

提出采用移动加热器(THM)法在稳态条件下生长碲镉汞晶体的理论模型.该模型利用与时间相关的一维物质扩散方程组,熔区自由边界通过考虑相图来确定,没有考虑对流的影响.给出了x=0.2时碲镉汞晶体生长过程的数值解.结果表明,在生长初始阶段,生成晶体的组分是不均匀的,其长度与生长条件如熔区长度、加热器移动速度、温场分布等因素有关,在初始阶段过后,生成晶体的组分接近多晶料的组分. 关键词：     

MCT晶体退火压力─温度关系及其分析

采用热重法对组分不同（x＝0．15～0．26、y＝0．50～0．54）的（Hg1-xCdx）1-yTey晶体s－g平衡体系进行了P－T关系测量（T＜560℃、P=2～76kPa）；发现x值不同的样品对P-T的影响不明显；y值偏离（y≥0．504）的样品在420±5℃有PHg降，并对此进行了分析，提出了利用此现象可以减少MCT晶体中的富Te量和改善Te组分均匀性；补充了51kPa以下的P－T数据，通过与传统相图的比较发现MCT的相存在区缩小，特别是在10kPa以下，Te饱和线逐渐向Hg饱和线靠拢，并对本征线的可能位置进行了分析。通过该研究为MCT晶体造火条件提供了精确的选择范围。     

单晶炉温场分布对碲镉汞晶体结构的影响

本文论述了不同炉温分布,对比研究温场对碲镉汞晶体结构的影响。