影响相对论磁控管效率的因素分析

相对论磁控管与普通磁控管效率形成了极大的反差.本文依据打上阳极表面的电子流剩余能量,分析了同步速度、电子小回旋运动、层流厚度、回旋半径、空间直流电荷场与强高频场对效率的影响,并以经典的S波段A6相对论磁控管为例,数值比较了效率随以上各因素的变化,结果表明:强高频场影响是造成相对论磁控管效率低下的主要原因,此结论通过粒子模拟也得到了证实.     

W波段TE62-TEM00准光模式变换器

对准光模式变换器的基本理论和设计方法进行了讨论.以改进型等效电流理论为基础给出了Vlasov辐射器的分析方法,建立了数值模型,并进行了计算分析.继而推导了自适应相位修正Katsenelenbaum-Semenov算法,编制了相位修正反射镜自适应设计分析程序.在上述理论工作的基础上,针对3 mm波段TE62至TEM00准...     

A comparison study of on-chip short pulse generation circuits based on a coplanar waveguide

A few traditional pulse-forming circuits are implemented in a commercial 0.13 μm digital complementary-metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology. These circuits, based on a coplanar waveguide, are analyzed and compared through Cadence^TM Spectre simulations. The results show that these traditional pulse-forming-line (PFL) based circuits can be implemented in standard CMOS technology for short pulse generations. Further work is needed to explore the potential of the circuit techniques and to minimize parasitic effects.     

可调谐相对论磁控管调谐带宽的优化

 在以10腔旭日结构为方案的可调谐相对论磁控管中,分析了热腔下对磁控管性能有重要影响的零模成分与模式隔离因素,结合零模成分的形成原因以及轴向频率分量对调谐范围的影响,提出了调整大、小腔等效阻抗和体积,开放阳极端面,从而减小零模分量及增加调谐带宽的措施。CST模拟表明,通过这些优化,可调谐相对论磁控管的调谐带宽从最初的380 MHz提高到900 MHz。     

基片集成波导K波段平面滤波器研制

利用基片集成波导与传统矩形波导的等效关系,类比矩形波导滤波器理论设计方法,结合三维电磁仿真软件模拟和优化技术,快速设计了K波段基片集成波导带通滤波器。实物测试结果显示滤波器的中心频率为19.75GHz,相对带宽6%,通带内插入损耗为1 dB,带内反射系数小于–14 dB,体积小于6 cm×2 cm×1 cm。相比传统波导形式滤波器,本设计为平面结构,体积小、易于系统集成。     

0.13μm CMOS芯片上窄脉冲成型电路

本文将脉冲功率领域中基于脉冲成型线的窄脉冲产生技术运用于芯片电路设计中,基于0.13μm的CMOS工艺,进行片上电路设计与实现.用CadenceTM Spectre Simulation进行了原理图和版图仿真分析,选用标准的片上共面波导(CPW)作为脉冲成型线(PFL),采用NMOS晶体管作为开关,仿真结果表明在共面波...     

可调谐相对论磁控管的实验研究

 实验研究了高有载品质因数下有无阳极端帽时调谐性能的差异,以及低有载品质因数下,没有阳极端帽时的可调谐相对论磁控管性能。研究结果表明：没有阳极端帽时,可调谐相对论磁控管具有更宽的调谐范围;在高有载品质因数下,可以达到2.52～3.31 GHz的调谐范围,输出功率范围为44～790 MW;低有载品质因数下,调谐范围为2.55～3.05 GHZ,调谐范围内输出功率1～1.7 GW。