Alq基有机发光二极管中Liq的“n型掺杂”机理研究

通过将Liq(8-hydroxyquinolinato-lithium)掺入电子传输层Alq(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum)中,制备了具有不同结构的仅传输电子的单载流子器件。实验结果表明,掺杂器件的电性能劣于含Liq/Al复合阴极的非掺杂器件,优于含Al阴极的非掺杂器件,这表明掺入Alq的Liq没有产生明显的“n型掺杂”效应,其具有双重作用:掺杂后分散在Alq/Al阴极界面上的Liq以电子注入层的形式出现,通过增强电子注入来提高器件电流;掺杂后存在于Alq体相中的Liq由于自身的导电性差,对电子传输具有不利影响,从而降低了器件的电流。在电致发光器件的测试中,Liq的掺杂表现出类似的现象,掺入Liq的器件性能介于非掺杂具有Liq/Al阴极和Al阴极结构器件之间,三种器件的最大电流效率分别为3.96,4.27和2.27cd/A,并且在吸收光谱和光致发光光谱中观察不到电荷转移所带来的额外变化。     

GaAs及GaN微波毫米波多功能集成电路芯片综述

综合论述了GaAs和GaN微波毫米波的收发多功能芯片、幅相多功能芯片和GaAs限幅放大器集成芯片的发展状况、电路结构和性能特性,简述了收发多功能中的功率放大器和低噪声放大器的设计方法、幅相多功能中数字移相器和衰减器的设计方法,给出了限幅低噪声放大器中限幅器的设计参考。     

含硫杂环稀土配合物的合成、表征及光学性质

合成了三种重稀土(铽、铒、钇)的2,5-噻吩二羧酸(H2L)-1,10-菲咯啉(Phen)三元配合物,通过元素分析、热分析、红外光谱法确定配合物的组成为Ln2(L)3(phen)2.4H2O。紫外光谱显示H2L和Phen在参与配位后其最大紫外吸收峰均发生红移。2,5-噻吩二羧酸的羧基与稀土离子以螯合双齿形式配位。Tb2(L)3(phen)2.4H2O于室温下在紫外灯的照射下发出绿色荧光,Tb2(L)3(phen)2.4H2O荧光寿命为0.24 m s。