基于BP神经网络的电子元器件寿命预测

电子元器件的寿命预测对于制订寿命试验的规划,确定所需的试验时间及试验经费,都有十分重要的指导作用.基于BP神经网络提出了一种电子元器件寿命预测的方法,该方法可对当前样本的未来观测值或未来样本的观测值进行预测.对MOS电容的加速寿命试验数据进行了仿真试验,结果表明该方法可较好地预测MOS电容在相应的应力条件下的失效时间,且精度较高.     

用磁控溅射法制备Cu薄膜的研究

采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Cu薄膜 ,应用台阶仪测量Cu膜的厚度 ,研究了薄膜的沉积速率与溅射功率的关系 ;用X射线衍射 (XRD)和扫描电镜Cu对薄膜进行了表征 ,研究了溅射功率对所制备薄膜的影响。制备出致密性和均匀性较好的Cu薄膜。     

基于LSSVM的小子样元器件寿命预测

现代高可靠元器件在寿命试验时会出现失效数据很少的小子样情形,而传统的可靠性评估方法需要大量的失效数据,针对此情况,从工程实践的实际需求出发,提出了基于最小二乘支持向量机的小子样元器件寿命预测方法。该方法通过建立最小二乘支持向量机模型,从而可根据已知元器件的失效时间去直接预测同一批未失效元器件的失效时间。将该方法应用于热载流子效应引起MOS管退化失效的加速寿命试验中进行MOS管失效时间的预测,结果表明基于最小二乘支持向量机的寿命预测方法在进行小子样元器件的寿命预测时具有很高的精确度。     

基于谐波调制的低功耗超宽带脉冲收发器设计

为实现更高的超宽带近场数据传输,提出一种基于脉冲谐波调制的集成低功率收发器。该收发器在发射器（Tx）端使用两个具有特定振幅的窄脉冲,来抑制由接收器（Rx）高Q值LC谐振电路引起的码间干扰（ISI）,从而实现高数据率。提出的接收器结构是以非相干能量检测为基础,检测使用了基于脉冲的新型自动增益控制电路,这大大降低了短耦合距离内的功率消耗（46%）及ISI。提出的收发器采用0.35 μm标准CMOS工艺制成。测试结果显示,当距离为10 mm时,实测数据传输速率为20 Mb/s,误码率为8.7×10?8。当电源电压为1.8 V时,提出的发射器和R接收器的功率损耗分别为180和12.15 pJ/bit。     

基于Profibus-DP的液体灌装-装箱一体机设计

采用PLC技术、变频、伺服技术、Profibus现场总线控制技术,将S7-200 CPU通过EM277 Proibus-DP从站模块连入Proibus-DP网,建立S7-300与S7-200之间通信的方法,设计了集输送、灌装、加盖、装箱四合一体的液体灌装-装箱一体机,详细介绍了该系统的方案设计,硬件配置和程序设计;试验证实,该系统可靠性高、安全性好;在传送模块使用PLC控制变频器不仅能平稳启停电机,安全可靠输送玻璃瓶,同时能大大降低系统能耗;在装箱过程中使用伺服电机控制三自由度机械手,可实现精确的多位置控制;同时该系统具有很强的扩展性和灵活性,可以在空瓶传送过程中再加装空瓶清洗模块,次瓶剔除装置等,同时可与六自由度机械人结合,组成新的灌装生产线;该系统可应用于各种液体产品的包装生产线中。     

基于LSSVM的威布尔分布形状参数估计

固态介质击穿寿命特性通常用威布尔分布来描述,形状参数卢反应了固态介质的失效特征,因而需要精确估计β值.提出了在小样本情况下基于最小二乘支持向量机(LSSVM)的参数评估方法,并给出了LSSVM在MOS电容与时间有关的击穿寿命分布评估中的应用实例,并与常规的最小二乘评估方法相比,得到的结果表明LSSVM的评估精度更高(均方误差更小)、鲁棒性更好,在小样本情况下能更精确地确定威布尔分布的形状参数.