一种低压低功耗SRAM/SOI单元设计

提出一种改进4管自体偏压结构SRAM/SOI单元.基于TSUPREM4和MEDICI软件的模拟和结构性能的分析,设计单元结构并选取结构参数.该结构采用nMOS栅下的含p+埋沟的衬底体电阻代替传统6管CMOSSRAM单元中的pMOS元件,具有面积小、工艺简单的优点.该结构可以在0.5V的电源电压下正常工作,与6管单元相比,该单元瞬态响应正常,功耗只有6管单元的1/10,满足低压低功耗的要求.     

一种低压低功耗SRAM/SOI单元设计

提出一种改进4管自体偏压结构SRAM/SOI单元.基于TSUPREM4和MEDICI软件的模拟和结构性能的分析,设计单元结构并选取结构参数.该结构采用nMOS栅下的含p 埋沟的衬底体电阻代替传统6管CMOSSRAM单元中的pMOS元件,具有面积小、工艺简单的优点.该结构可以在0.5V的电源电压下正常工作,与6管单元相比,该单元瞬态响应正常,功耗只有6管单元的1/10,满足低压低功耗的要求.     

对SoC芯片全面验证的仿真结构的研究

研究构成仿真环境的策略及软硬件协同验证环境的接口实现,介绍了用于功能和性能验证的软件伪随机测试生成方法.该方法对SoC和复杂的板机系统进行可测性设计的优化验证,大大降低测试成本,缩短了系统开发周期.     

一种基于ARCT的抗辐射加固器件结构设计

本文在探索半导体器件辐射损伤效应与机理的基础上,研究了通过器件的优化设计达到抗辐射加固性能要求的有效方法.基于0.18μmCMOS工艺条件,利用DVINCI三维器件模拟软件,建立了具有较好抗辐射性能的FD-SOI/MOSFET器件的加固模型,并提出了一种新型有源区裁剪(ARC)的双多晶硅栅结构晶体管.通过模拟辐射环境下器件的工作情况,证明该种结构具有很强的抗总剂量辐射的能力.     

基于表面势的MOSFET模型

基于表面势的模型由于其本质上的优点 ,在小尺寸器件建模中日趋得到重视。文中通过对几种典型的表面势模型的分析 ,论述了基于表面势模型的建模思想、特点和在电路模拟中的优越性。分析表明 ,这是一种基于物理描述的模型 ,具有连续性、物理意义明确、结构简明等特点 ,对建立小尺寸器件整体模型非常适合和有效。     

高压BCDMOS集成电路的工艺集成

对高压13CD--MOS器件的结构和工艺进行了研究,用器件模拟MEDICI和工艺模拟T-SUPREM软件分别对器件结构和工艺参数进行了设计优化．在工艺兼容的前提下,设计制作了包含NPN、PNP、NMOS、PMOS、高压LDMOS等结构的BCDMOS集成电路样管．测试结果表明,样管性能与模拟结果相符．     

孔栅MOS型CO气敏半导体器件

双层孔栅MOSFET是CO气敏的一种新型半导体器件.本文介绍了自行设计的这类器件的结构、气敏原理、制作结果.所得器件测量结果表明,1000ppm CO气氛中,150℃下阈电压改变量可途300mV以上.     

CMOS折叠—插值A／D转换器中的气泡效应研究

ＣＭＯＳ折叠－插值Ａ／Ｄ转换器是一种新颖的高速低功耗转换器，但随着输入电压和采样频率的增加，其动态性变差，误码率上升，产生所谓的“气泡”现象。文章分析了“气泡”的产生机理，给出了减小“气泡”效应的方法及实现途径。     

WLED驱动器芯片升压控制电路设计

设计了一种用于白光LED(WLED)驱动器且具有PWM调光和模拟调光两种工作模式的升压控制电路.电路中,大电容补偿网络的引入和低电压提取电路的设计有效地提高了电路调光性能.利用0.5μm-BCD工艺库仿真,结果表明:PWM调光下,控制电路在零负载与额定负载之间快速切换,切换时间小于12μs;模拟调光下,输出与调光电压实现自适应,支路电流为20mA时,WLED阵列为6×6、6×8、6×10,输出分别稳定在20.4V、27.0V和33.3V.该设计改善了WLED驱动器的调光比,进而提升LCD显示质量.