双极晶体管发射极电阻的提取方法及应用研究

以双多晶自对准互补双极器件中NPN双极晶体管为例,阐述了发射极电阻提取的基本原理和数学方法。在大电流情况下,NPN管的基极电流偏离理想电流是发射极串联电阻效应引起的。该提取方法综合考虑了辐照过程中NPN管的电流增益退化特性,分析了总剂量辐照效应对NPN管的损伤机理和模式。该提取方法适用于多晶硅发射极器件,也适用于SiGe HBT器件。     

基于比较器亚稳态抑制技术的8位320 MS/sSAR ADC

提出一种比较器亚稳态抑制技术,并将其应用于一个8位320 MS/s 的逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。该技术抑制了比较器在高速工作情况下可能出现的亚稳态现象,从而降低了比较器出现错误结果的概率。同时,提出一种转换时间复用技术,使ADC能在转换与采样模式之间快速切换。与传统技术相比,随着工艺角、电源电压和温度(PVT)的变化,ADC的采样时间会被最大化。基于65 nm CMOS工艺,设计了一种8位320 MS/s SAR ADC。芯片测试结果表明,在1 V电源电压下,功耗为1 mW,信号噪声失真比(SNDR)>43 dB,无杂散动态范围(SFDR)>53.3 dB。SAR ADC核的芯片面积为0.021 mm²,在Nyquist采样率下,优值为29 fJ/step。     

DPSA双极器件中的1/f噪声特性研究

在现代高性能模拟集成电路设计中,噪声水平是影响电路性能的关键因素之一.研究了双多晶自对准高速互补双极NPN器件中发射板结构对器件直流和低频噪声性能的影响.实验结果表明,多晶硅发射极与单晶硅界面超薄氧化层以及发射极几何结构是影响多晶硅发射极双极器件噪声性能的主要因素.     

毫米波天线集成技术研究进展

作为5G大规模多输入/多输出(MIMO)的技术支持,毫米波天线集成技术是实现高分辨数据流、移动分布式计算等应用场景的关键技术。讨论了封装天线(AiP)、片上天线(AoC)、混合集成等毫米波天线集成技术发展状况、关键技术及其解决方案,剖析了几种典型集成天线技术,分析了技术发展脉络,总结了5G毫米波集成天线一体化技术的发展趋势。     

一种高精密的Gm-C 2阶带通滤波器的设计

针对红外接收芯片对带通滤波器参数可调的要求,提出了一种高精密的Gm-C 2阶带通滤波器。该滤波器的中心频率、带宽和通带增益均可调。电路采用0.35μm标准CMOS工艺进行流片。测试结果显示,电路中心频率调节精度为0.8 kHz。该电路结构简单、容易集成,可广泛应用于红外遥控接收系统。     

基于Matlab的基极电流理想因子提取方法研究

采用Matlab数字分析方法,结合多晶硅发射极双极器件基极电流的构成情况,阐述了不同理想因子电流成分分离的基本原理和数学方法。利用该方法分析了多晶硅发射极双极器件在正向大电流激励下的电参数退化过程中不同理想因子基极电流的变化情况,分析了导致各电流分量变化的物理机制。该理想因子提取方法普遍适用于各类双极型器件。     

集成电路温度传感器技术研究进展

与传统传感器相比,集成电路温度传感器具有设计简单、集成度高、响应速度快、精度高、功耗小、体积小、成本低廉等优点,在计算机、通信、电信及工业控制等领域得到广泛的应用。介绍了集成电路温度传感器的技术现状,并以CMOS传感器为重点,从敏感元件、电路设计、制造工艺、高温应用等方面,探讨了智能温度传感器精度控制的关键之处。     

K1-5型外壳共晶贴片热应力研究北大核心

针对采用10号钢为基材的K1-5型外壳的芯片裂纹问题，对其共晶应力进行了仿真，并尝试对工艺过程进行仿真优化。结果表明，无论采用何种缓慢或快速的散热方式，都不能从根本上改变10号钢与Si芯片因热膨胀系数的巨大差异而导致的热应力。通过比较三种不同的管壳材料可知，以可伐材料为基体的K1-5管壳的共晶热应力最低，为316 MPa,而以10号钢为基体的热应力最高，为19 800 MPa,远远超出了硅芯片的极限断裂强度544 MPa。根据应力的基本理论，可伐与Si芯片的热膨胀系数的差异最小，无氧铜次之，而10号钢为最大，这也是以10号钢为基体的K1-5管壳在共晶时芯片开裂的根本原因。将管壳基材更换为可伐材料，仿真分析和实际试验结果均证明该管壳能够有效解决芯片开裂的问题。