考虑加速度取值约束的跟驰模型及仿真研究

针对传统跟驰模型产生过大的加速度问题,采用可变的期望间距模型,建立了考虑加速度取值约束的微观跟驰模型。对提出的模型进行稳定性分析,得到与Bando模型不同的稳定性条件。通过仿真发现,加速度取值在一定的范围内,随着加速度的逐渐变大,滞后性曲线范围变小,交通流的稳定性增强,与稳定性分析的结果一致。当加速度取值超过合理范围时,交通流的稳定性变差。因此,考虑加速度取值约束的模型有利于维持交通流的稳定。     

用于综合评判的一种权重计算方法

在综合评判和决策过程中，属性权重的确定是其中一个重要环节。由于常用方法存在诸多缺点,为此根据信息具有粒度的思想，基于粗糙集两个近似精度来科学定义属性的重要性，并将之作为综合评判中的客观权重。此外考虑到客观经验因素，将客观扭值和主观权重相结合，最后得到有利于正确评价和决策的综合权重。流型识别仿真试验结果表明：文章提出的权重计算方法较为完备，其应用效果优于其它权重计算方法。     

声表面波滤波器教学与学生综合能力培养的探索

针对声表面波滤波器知识点教学环节中存在的问题,本文结合本科生综合能力培养这一宗旨,将声表面波滤波器的基本原理、器件结构、器件设计等授课和实验环节,与学生的文献检索、整理,科技论文撰写,工具软件使用等综合能力培养紧密联系在一起,加深了学生对声表面波滤波器知识的掌握,提高了学生的综合能力。此外,这种综合能力的培养在一定程度上解决了其它课程学习、毕业设计中存在的不会利用文献检索工具,不会进行科技论文撰写等问题。     

Ti/4H-SiC SBD中子辐照效应的研究

采用1 MeV的中子对Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)的辐照效应进行研究,观察了常温下的退火效应.实验的最高中子剂量为1×1015 n/cm2,对应的γ射线累积总剂量为33 kGy (Si).经过1×1014 n/cm2的辐照后,Ti/SiC肖特基接触没有明显退化;剂量达到2.5×1014 n/cm2后,观察到势垒高度下降;剂量达到1×1015 n/cm2后,势垒高度从1.00 eV下降为0.93eV;经过常温下19 h的退火后,势垒高度有所恢复,表明肖特基接触的辐照损伤主要是由电离效应造成的.辐照后,器件的理想因子较辐照前有所上升;器件的正向电流(VF=2V)随着辐照剂量的上升而下降.     

SiC JFET功率特性的仿真与优化

建立了常关型SiC结型场效应晶体管(JFET)功率特性的数值模型,研究了不同的结构和材料参数对器件功率特性的影响。仿真结果显示,沟道层、漂移层等各层的厚度及掺杂浓度对器件的开态电阻和击穿电压都有明显的影响;采用电流增强层可以明显提高器件的功率特性。研究结果表明,对SiC JFET的结构参数进行优化,可以有效提高器件的优值(FOM)。     

SiC肖特基栅JFET功率特性的研究

提出了一种新型结构的SiC结型场效应晶体管,采用肖特基接触替代P+型栅区,以降低SiC JFET的工艺复杂度,并提高器件的功率特性。建立了器件的数值模型,对不同材料和结构参数下的功率特性进行了仿真。结果表明,与PN结栅相比,肖特基栅结构可以有效降低SiC JFET的开态电阻;与常规结构的双极模式SiC JFET相比,在SiC肖特基栅JFET的栅极正偏注入载流子,同样可以有效降低器件的开态电阻,折中器件的正反向特性,但不会延长开关时间。     

Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管抗辐射特性的研究

本文采用γ射线、高能电子和中子对Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)的抗辐射特性进行了研究.研究发现对于γ射线和1 MeV电子辐照,-30 V辐照偏压对器件的辐照效应没有明显的影响.经过1 Mrad(Si)的γ射线或者1×l0¹³ n/cm²的中子辐照后,Ti/4H-SiC肖特基接触都没有明显退化;经过3.43×10¹⁴ e/cm²的1 MeV电子辐照后Ti/4H-SiC的势垒高度比辐照前轻微下降,这是由于高能 关键词： 碳化硅 肖特基 辐照 偏压     

中子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电特性的影响

本文采用能量为1 MeV的中子对SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件进行了最高注量为1015cm-2的辐照.实验发现:当注量小于1014cm-2时,器件特性退化很小,其中栅电流有轻微变化(正向栅电流IF增加,反向栅电流IR减小),随着中子注量上升,IR迅速降低.而当注量达到1015cm-2时,在膝点电压附近,器件跨导有所下降.此外,中子辐照后,器件欧姆接触的方块电阻退化很小,而肖特基特性退化却相对明显.通过分析发现辐照在SiN钝化层中引入的感生缺陷引起了膝点电压附近漏电流和反向栅泄漏电流的减小.以上结果也表明,SiN钝化可以有效地抑制中子辐照感生表面态电荷,从而屏蔽了绝大部分的中子辐照影响.这也证明SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT器件很适合在太空等需要抗位移损伤的环境中应用.     

碳纳米管聚苯胺薄膜SAWSO2传感器的实验研究

以128°Y-LiNbO3晶体上实现的双声路声表面波(SAW)器件为载体,在器件的测量声路上制作了对SO2气体具有敏感作用的碳纳米管聚苯胺薄膜,提出了一种基于碳纳米管聚苯胺薄膜的SAW SO2气体传感器.该传感器中的双声路结构消除了因外界测量条件改变引起的测量误差,提高了传感器的可靠性和准确性.利用原位法制备的碳纳米管聚苯胺增加了SO2气体的吸附面积,提高了传感器的灵敏度.实验结果表明,基于碳纳米管聚苯胺薄膜的SAW SO2气体传感器在测量范围内对各种浓度的SO2气体具有好的响应特性;当输入体积分数为1×10-6时,传感器的响应灵敏度约为8.3 kHz,比单一聚苯胺薄膜高1.8 kHz.此外,该传感器也具有更好的线性特性.     

基于1（1/2）维谱与K-L变换的被动声纳目标识别

采用基于1（1/2）维谱分析与K-L变换相结合的特征提取方法,获取被动声纳噪声信号的有效识别信息,对被动声纳的目标信号进行分类。首先对被动声纳噪声进行1（1/2）维谱子带能量的特征提取,然后运用K-L变换实现高维特征向量的降维,剔除冗余特征,并以BP神经网络作为分类器对三类目标进行识别与分类。计算机仿真结果表明,该方法具有较好的分类效果和稳健性。