排序方式： 共有1条查询结果，搜索用时 0 毫秒
1
1.
在1983年底国际电子器件会议(＇83IEDM)及1984年的国际团体电路会议(＇84ISSCC)上,发表了 IM位动态存贮器(DRAM)~[1 3]和 256K位 MOS静态存贮器(SRAM)~[4]技术,在一块芯片上集成了100万只以上元件,从而标志着进入了超超大规模集成电路(ULSI)时代。 在这种ULSI中,由于集成度提高了。最小条宽到了亚微米,于是产生了LSI存 相似文献
1