光诱导镀改善太阳电池填充因子的研究

本文采用常规的太阳电池工艺制备了一批单晶硅电池片,退火后得到了填充因子迥异的结果。比较了光诱导镀前后电池参数尤其是串联电阻,并分析了光诱导镀提升填充因子的机理。利用扫描电镜（SEM）观察了去除体银后的微观结构,证明了差填充因子太阳电池在光诱导镀后填充因子的提高得益于烧结中形成的银晶粒的充分利用。文中还提出了将光诱导镀应用于接触电阻较大的电池,如纳米柱电池和径向结电池的可能性。     

一种偏置电路噪声消除的VCO

基于0.18 μm CMOS工艺,设计并制作了一种偏置电路噪声消除的VCO。通过在偏置电路与VCO的尾电流源之间插入选通电路,可以实现对偏置电路的噪声电压的低通滤波。分析表明,该低通滤波器的拐点频率与选通电路的导通电阻、关断电阻以及开关时钟占空比相关。电路测试表明,加入选通电路之后,VCO的近端相噪下降约20 dB,大大降低了偏置电路的相噪贡献。     

基于非均匀外场的双量子比特自旋XYZ模型的swap门操作

自旋模型在实现量子信息处理中起着很重要的作用.将自旋之间的海森堡相互作用作为最基本量子比特之间的相互作用,将会使量子比特之间产生量子纠缠;同时忽略掉自旋之间相互作用的各向异性可直接用来实现(swap)n量子门,再配以单量子比特旋转门,可构成完备的量子计算基本门.事实上,各向异性相互作用是存在于任何固态材料中的,其对实现量子逻辑门的影响很值得研究.本文讨论了在非均匀外场下XYZ模型的双量子比特swap门的实现问题,给出非均匀外场以及各向异性相互作用导致的swap门操作的误差.     

基于高效太阳电池的光诱导镀技术

介绍了光诱导镀(light-induced plating,LIP)应用于太阳电池的背景、发展历史及其工作原理。论述了光诱导镀技术对太阳电池性能的影响,并重点探讨了光诱导镀技术对太阳电池前表面电极接触性能的改善效果。同时,还讨论了光诱导镀技术应用于铝背表面场(Al-BSF)和激光烧制接触(laser fired contact,LFC)两种高效太阳电池上所取得的成果。当接触电阻成为串联电阻中的主要成分时,光诱导镀能够降低接触电阻、提高填充因子,从而提高电池的效率。光诱导镀特别适合于改善串联电阻较大的电池,利用光诱导镀也可以重新优化电池的烧结条件,得到更高的电池效率。