Mn掺杂GaN的电子结构及光学性质

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mn掺杂GaN(Ga1-xMnN)晶体的电子结构及光学性质,详细讨论掺杂后电子结构的变化.计算表明,Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N 2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,Ga1-xMnxN表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料.另结合实验结果分析掺杂后体系的光学性质,发现吸收谱在1.3 eV处出现吸收峰,吸收系数随Mn2+浓度增加而增大.分析表明,该峰是源于Mn2+离子e态与t2态间的带内跃迁.     

Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算不同Mn浓度掺杂GaN晶体的电子结构和光学性质.计算结果表明Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N 2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,材料表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料,折射率在带隙处出现峰值,紫外区光吸收系数随Mn浓度的增加而增大. 关键词： Mn掺杂GaN 第一性原理 电子结构 光学性质     

继往开来，推动我市通信业科学发展——纪念中国共产党建党88周年

中国共产党从1921年7月1日诞生到现在,已经走过了88年的光辉历程。这88年,是为中华民族独立、解放、繁荣和中国人民自由、民主、幸福而不懈奋斗的88年：是推动中国旧貌换新颜、不断奋勇前进的88年;也是一代又一代中国共产党人在革命、建设、改革进程中发挥先锋模范作用、带领人民战胜种种困难、顽强不屈的88年。历史和现实证明,我们的党是富于创新精神．不断开拓进取、与时俱进的党;是经得起各种考验,勇于在困难和挫折中奋进的党;是实践“三个代表”和科学发展观。脚踏实地为人民群众的根本利益奋斗不息的党。每一名共产党员都应为此而感到光荣和自豪。     

2008值得期待

“小寒”天阻拦不住2007年的火热,也冲淡不了2008年的期待。 撕下2007年最后一张日历时．国人难抑心中的喜悦。2007,中国经济实现新的跨越。十七大胜利召开,科学发展之路愈显明晰;2007．重庆经受百年一遇洪灾考验。胡锦涛总书记针对重庆大城市带大农村的二元经济结构做了“314”总体部署。     

认真贯彻司法解释 依法促进行业发展

近年来，随着我国电信体制改革的不断深入，通信网间平台、电路等中继资源得到了极大发展，保证了用户跨网业务的拨接和畅通，从而提高了电信网全网的使用价值，推进了电信市场有效竞争格局的形成。但是，由于市场竞争日趋激烈，各运营商之间也不时出现了阻碍网间互联互通、破坏通信设施等突出问题，严重扭曲了正常的竞争秩序，影响了企业经营和广大消费者的合法权益，     

电极耦合层对GaN基蓝光LED出光特性的影响

光提取效率的提高对GaN基蓝光LED的广泛应用有重要的影响.计算了以Ni/Au基金属化方法形成的p型GaN电极的折射率,通过分析电极层中的能流传输情况在电极上设计高折射率的耦合层来减少电极层对光的吸收以及提高光的透射,耦合层通过采用圆台结构来减少光在空气/耦合层界面上的全反射以提高GaN基蓝光LED的光提取效率.应用传输矩阵法计算的结果表明,光学厚度为π/2,折射率为2.02的ITO耦合层能使450 nm的蓝光在膜系上的透射率提高到75%.     

用于红外焦平面阵列的等效像元电路设计

提出了一种用于300×400红外焦平面阵列读出电路的等效像元电路结构。该电路与氧化钒(VOx薄膜)制成的微机械系统(MEMS)的电特性等效,并能够模拟MEMS像元改变时支路电流的变化。红外面阵探测器读出电路在流片后,生长MEMS物理结构(VOx薄膜)前,该等效像元电路结构用于读出电路的电性能测试,从而剔除不良品,减少封装成本。该电路采用了Global Foundry 0.35μm工艺设计并流片。测试结果表明,当积分电流为0~200nA时,该等效像元电路的电性能与MEMS像元一致。     

志存高远 脚踏实地

牛去旧岁,虎迎新来,崭的一年又如约前来。 过去的2009年,在全市所有通信工作者的努力下,重庆通信业稳步发展。提前完成全市所有自然村通电话的目标,使我市农村通信水平跃居西部前列;3G正式投入商用,截至年底,共发展3G用户23万户左右;加强网络和信息安全管理力度,     

The properties of GaMnN lms grown by metalorganic chemical vapour deposition using Raman spectroscopy

An investigation of room-temperature Raman scattering is carried out on ferromagnetic semiconductor GaMnN films grown by metalorganic chemical vapour deposition with different Mn content values. New bands around 300 and 669 cm^-1, that are not observed in undoped GaN, are found. They are assigned to disorder-activated mode and local vibration mode (LVM), respectively. After annealing, the intensity ratio between the LVM and E₂(high) mode, i.e., I_LVM=I_E2(high), increases. The LO phonon-plasmon coupled (LOPC) mode is found in GaMnN, and the frequency of the LOPC mode of GaMnN shifting toward higher side is observed with the increase in the Mn doping in GaN. The ferromagnetic character and the carrier density of our GaMnN sample are discussed.     

第一性原理研究Mg，Si和Mn共掺GaN

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mg,Si和Mn共掺GaN电子结构和光学性质,分析比较计算结果.计算表明：掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.与Mn掺杂GaN比较,Mg共掺后能使居里温度(T_C)升高,并在1.0eV出现源于Mn⁴⁺离子基态⁴T₁(F)到⁴T_{2关键词： Mg Si和Mn共掺GaN 电子结构 TC)')" href="#">居里温度(TC) 光学性质}