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八羟基喹啉镉薄膜制备及其光学特性 总被引:1,自引:0,他引:1
用真空蒸镀方法,在玻璃衬底上制备了衬底温度不同的八羟基喹啉镉薄膜.XRD分析表明,八羟基喹啉镉薄膜呈多晶态,且衬底温度越高,衍射峰越强,薄膜的结晶性能逐渐变好,结晶晶粒尺度也越大.AFM研究表明,衬底温度升高,薄膜表面形貌越均匀有序,质量变好.MM-16相调制型椭圆偏振光谱仪研究发现,衬底温度升高导致反蒸发增强,薄膜生长速率减小,随着入射光波长的增加,薄膜的折射率和消光系数逐渐减小.随着衬底温度升高,因薄膜晶粒尺度增大,折射率和消光系数也增大;并给出了它们的变化范围. 相似文献
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通过对器件的温度特性的研究,能够使器件在合适的温度下保持稳定的工作状态.本文以Miller-Abrahams跳跃传导理论为基础,建立了有机-有机界面限制电流传导的电荷传输的解析模型.依据此模型分析了结构为"注入电极/有机层Ⅰ/有机层Ⅱ/收集电极"的双层薄膜器件在有机界面限制电流传导状态下的电流、电场和载流子分布与工作温度的变化关系.结果表明,在给定的工作电压下,温度升高时降落在层Ⅰ的电压升高,电场增强,而降落在层Ⅱ的电压降低,电场减弱,同时器件的电流增大. 相似文献
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用真空蒸镀方法,在玻璃衬底上制备了衬底温度不同的八羟基喹啉镉薄膜.XRD分析表明,八羟基喹啉镉薄膜呈多晶态,且衬底温度越高,衍射峰越强,薄膜的结晶性能逐渐变好,结晶晶粒尺度也越大.AFM研究表明,衬底温度升高,薄膜表面形貌越均匀有序,质量变好.MM-16相调制型椭圆偏振光谱仪研究发现,衬底温度升高导致反蒸发增强,薄膜生长速率减小,随着入射光波长的增加,薄膜的折射率和消光系数逐渐减小.随着衬底温度升高,因薄膜晶粒尺度增大,折射率和消光系数也增大;并给出了它们的变化范围. 相似文献
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温度是影响有机发光器件特性的一个重要因素,考虑了电流的注入限制和体限制之后,运用数值方法,研究了在低电场下温度对单层有机发光器件的J-V特性以及电场和载流子在有机层中的分布的影响。结果表明,在一定电压下,温度升高时,器件电流增大,有机层中载流子及其梯度分布增大,电场强度分布梯度也增大。并且当温度逐渐升高时,器件的电流传导将趋向于体限制,而当温度逐渐降低时,器件电流传导将趋向于注入限制,此时有机层内各处电场强度趋于均匀。并且结果表明,数值结果与实验结果符合得比较好。 相似文献
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在高速发展的IT行业,新软件、新概念层出不穷,系统化信息化管理时代要求企业领导者寻找一种合理的、适合自己企业的、能提高资源配置效果的管理工作。ERP是一个与时俱进的产品,在现今的企业管理模式进程中它不一定是最好的管理软件,但它一定是最适合企业的。在激烈的竞争中,企业的目标更多的是需要发展、壮大,因此在企业发展中寻求新的、先进的管理方式,不断的壮大企业规模,企业领导者有必要及时掌握企业的运营情况,让信息化真正意义上做到信息的及时性,这就要求企业选择好的管理软件,通过ERP的实施来提升企业管理。 相似文献
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介绍了制备高纯度有机发光材料8-羟基喹啉钕(Ndq3)和生长Ndq3薄膜的方法.通过X-射线衍射谱、红外吸收光谱、紫外吸收光谱以及荧光光谱测试分析,对Ndq3粉末和薄膜的结构和特性进行了表征.标定了Ndq3中喹啉环的存在;计算得出Ndq3的禁带宽度为2.8 eV;证实了Ndq3分子中的Nd-O键为共价键而非离子键;测得Ndq3的荧光发射光谱位于472 nm(蓝光区域);证明了光激发位于喹啉环上而不是金属Nd3+上.与Al和Zn的金属螯合物相比,Ndq3中的Nd3+成键共价键较强,极化力较弱.对不同衬底温度下生长的Ndq3薄膜做了XRD分析,发现Ndq3薄膜呈多晶态,且随温度升高,衍射单峰逐渐增强,显示Ndq3薄膜的结晶性能随衬底温度的升高变好,结晶晶粒尺度也随着衬底温度的升高逐渐变大,薄膜表面形貌更加均匀. 相似文献
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通过对器件的温度特性的研究,能够使器件在合适的温度下保持稳定的工作状态.本文以Miller-Abrahams跳跃传导理论为基础,建立了有机-有机界面限制电流传导的电荷传输的解析模型.依据此模型分析了结构为“注入电极/有机层Ⅰ/有机层Ⅱ/收集电极”的双层薄膜器件在有机界面限制电流传导状态下的电流、电场和载流子分布与工作温度的变化关系.结果表明,在给定的工作电压下,温度升高时降落在层Ⅰ的电压升高,电场增强,而降落在层Ⅱ的电压降低,电场减弱,同时器件的电流增大. 相似文献
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有机发光器件的宏观特性与有机层中的电场和载流子浓度分布密切相关。建立的有机电致发光器件模型是由两个金属电极中间夹一层有机发光薄膜材料组成的单层器件,金属与有机发光层之间为欧姆接触。模型以载流子运动的扩散-漂移理论为基础,利用数值方法研究了有机发光层中双极载流子注入时的电势、电场、载流子浓度和复合密度分布。分析结果表明:当两种载流子的迁移率相同时,电场强度、载流子浓度、复合密度的分布呈对称形式。而当电子和空穴的迁移率μn和μp相差比较大时,高迁移率的载流子不仅仅分布在注入端附近而且还有一小部分能够传输到另一端,而低迁移率的载流子只分布在其注入端附近;当μn、μp的大小相差不大时,载流子传输情况就介于两者之间。当μn/μp的比值变化时,电场强度的极大值向载流子迁移率小的注入端偏移。 相似文献
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