DH激光器电光延迟时间与注入脉冲电流的关系及其测量

本文推导了DH激光器电光延迟时间与注入脉冲电流幅度和上升前沿的关系表达式,并用我们设计的测试系统,对本所研制的质子轰击条形DH激光器进行了测试。对于90-15~#器件,在1.5倍脉冲阈值电流注入下,测得其电光延迟时间td为4ns,载流子自发复合寿命τ_sp为3.2 ns;对加有直流偏置的情况也进行了测试;还列出了另外几个器件的测试结果。从画出的测试曲线来看,与理论曲线符合得都比较好。     

应变层InGaAs/AlGaAs调制掺杂场效应晶体管

应变层InCaAs/AlGaAs调制掺杂场效应晶体管是利用在InGaAs,AlGaAs界面处存左高电子迁移率的二维电子气的原理制成的新式场效应器件。本文论述了调制掺杂扬效应晶体管的工作原理和基本结构,对比了AlGaAs/CaAs、InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs三种结构的调制掺杂场效应管的优劣,指出后者的电流增益截止频率已达到100GHz,器件的设计功率增益频率范围高达400GHz。     

半导体激光器在高速大正弦调制下的分频单一光脉冲化及单模化行为

本文用多纵模速率方程对半导体激光器在高速大正弦调制下的行为进行了数值分析,得出随着调制参量的变化激光器的输出光会出现有规则的光脉冲序列、光谱变宽和波长漂移;在适当的调制条件下不仅会产生二分频单一光脉冲化现象,而且还会产生更多分频单一光脉冲化现象,同时利用分频现象还能够得到单模化光脉冲,其脉冲宽度小于10ps,并且对这些现象进行了定性解释。     

半导体激光器的张弛振荡

本文用数值分析方法研究了半导体激光器的小信号和大信号注入特性,指出了两者的根本区别.     

调制掺杂场效应管的电容和伏-安特性

本文考虑了费米能级随栅电压的变化,得到调制掺杂场效应管的栅极与沟道的实际距离增大90A左右,从而引起栅极电容和跨导的明显减少;又用热电子模型推导了调制掺杂场效应管的伏-安特性,得到的结果为其它文献所证实。     

硅光电探测器响应时间的测试

在硅光电探测器的应用过程中,响应时间是探测器的主要参数之一,因而对响应时间的测量就很有必要. 一、测量原理和方法 当给光电探测器以一个理想的矩形光脉冲辐照时,如图1(a)所示,由于探测器响应的延迟,其输出波形就不再是一个理想的矩形脉冲,而是具有一定的上升前沿和下降后沿