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1.
InAs0.96Sb0.04红外薄膜的光学性质研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用水平滑移石墨舟液相外延生长技术在n型(100)InAs衬底上生长了InAs0.96Sb0.04薄膜.在1.5~5.5 eV光子能量范围采用紫外—可见光椭圆偏振光谱仪于室温下测试了其介电函数谱ε(E).基于电子带间跃迁和联合态密度理论,采用S.Adachi的MDF模型对ε(E)进行了拟合,并计算了各种临界点电子跃迁对ε(E)的贡献.结果表明:实验数据与模型吻合得非常好,E1和E1 Δ1跃迁发生在布里渊区(BZ)的Λ轴或L点,分别对应于M1型临界点Λ5v→Λ6c(或L4v.5→L6c)和Λ6v→Λc6(或L6v→L6c)跃迁;E2跃迁是由于M1型和M2型鞍点能量简并引起的,沿着BZ的Σ和Δ轴方向.  相似文献   
2.
InAs infrared-sensitive solar cells are fabricated by using the films grown by the liquid phase epitaxy technique. The film microstructures are characterized by x-ray diffraction and scanning electronic microscopy. The current-voltage characteristics of the solar cells in the dark and under AM1.5 illumination at 300 K and 77 K are discussed. The conversion efficiency of p-InAs/n-sub InAs cells decreases when the thickness of the p-type film changes from 1.7 μm to 3.5 μm, which is caused by the reduced effective photons near p?n junction. The p-InAs/n-InAs/n-sub InAs solar cell with the conversion efficiency of 7.43% in 1-2.5 μm under AM1.5 at 77 K is obtained. The short circuit current density increases dramatically with decreasing temperature due to the weakened effect of phonon scattering.  相似文献   
3.
将少量氮原子加入Ⅲ—Ⅴ族半导体后可引起能带减小,因此这种方法可以用来实现能带结构裁剪。这种新型稀氮化物显示出了奇特的物理性质,并且具有应用于新型光电器件的潜力。特别是,备受关注的稀氮InAsN和InSbN在中长波红外光电材料上具有巨大的应用价值,并将在中长波红外器件应用领域发挥重要的作用。  相似文献   
4.
喇曼-原子力显微镜的研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
喇曼-原子力显微镜(Raman-AFM)是一种基于探针增强喇曼散射效应(TERS)的新型形貌表征与光电测试设备,能够在纳米尺度上对低维结构材料与器件进行喇曼研究.本文详细介绍了Raman-AFM的基本原理与关键技术特点,并展望了它的发展前景.  相似文献   
5.
The structural and electronic properties of sodium bromide (NaBr) are investigated by the density functional theory (DFT) within the generalized gradient approximation (GGA) for the exchange and correlation energy. The equilibrium lattice constant, bulk modulus and its pressure derivative are obtained by fitting the calculated total energy to the third-order Birch-Murnaghan equation of state. The band structure along the higher symmetry axes in the Brillouin zone, the density of states (DOS) and the partial density of states (PDOS) are presented. The results have been discussed and compared with the available experimental and theoretical data.  相似文献   
6.
用遗传算法设计宽带薄层微波吸收材料   总被引:13,自引:0,他引:13       下载免费PDF全文
针对雷达吸波材料(RAM)的吸收频带宽和厚度薄的优化目标,引入动态跟踪变量约束条件和可动态扩展编码长度等技术,采用基本遗传算法建立了在任意给定的厚度范围内对电磁波的吸收达到特定的反射损耗值有最大合格带宽的多层RAM的优化设计方法.并结合研制的实际吸波材料建立的电磁参数数据库优化设计出了宽带、薄层的涂敷型RAM.用本文建立的优化设计方法可以实现宽带薄层RAM的优化设计.  相似文献   
7.
阻挡杂质带(BIB)探测器是当前远红外天文探测领域的主流探测器。通过近表面加工技术成功制备出了高性能的Ge:B BIB探测器,响应波数范围从50 cm-1到400 cm-1。在3.5 K温度和30 mV工作电压下,器件在峰值响应84.9 cm-1处的响应率达到21.46 A·W-1,探测率达到4.34×1014cm·Hz1/2·W-1。研究了BIB探测器中界面势垒对响应光谱的影响。提出了一种新的激发模式—电极区内的载流子可以通过光激发的方式越过势垒。此外,还发现了一种增强BIB探测器在小波数处相对响应强度的方法。  相似文献   
8.
The temperature-dependent photoluminescence(PL) spectra of BaIn2O4,prepared by coprecipitation,are measured and discussed.Aside from the reported 3.02-eV violet emission,the 1.81-eV yellow emission involved with oxygen vacancy is also observed at room temperature wherein the deep donor level is at 1.2 eV.With the temperature increasing,the peak energies for both emissions show a red shift.Moreover,the yellow emission intensity decreases while the violet emission intensity increases.The temperature dependence of the yellow emission intensity fits very well into the one-step quenching process equation,indicating a fitted activation energy at 19.2 meV.  相似文献   
9.
采用改进的快速推舟液相外延技术在GaAs衬底上成功地生长了GaSb量子点材料.通过原子力显微镜观测了不同生长参数下GaSb量子点材料的形貌(形状、尺寸、密度、尺寸分布均匀性等).分析了不同衬底、不同生长源配比、生长源与衬底的不同接触时间等生长条件参数对GaSb量子点生长的影响.研究表明在GaAs衬底上、富镓生长源配比以及较短的生长源和衬底接触时间下更易获得高质量的GaSb量子点.上述生长条件的摸索和研究对于GaSb量子点器件应用具有重要意义.  相似文献   
10.
以胶体粒子为模板制备核壳纳米复合粒子   总被引:13,自引:0,他引:13  
官建国  邓惠勇  王维  任平 《化学进展》2004,16(3):327-334
核壳纳米复合粒子具有许多不同于单组分胶体粒子的独特的光、电、磁、催化等物理与化学性质,是构筑新型功能复合材料的重要组元,在光子带隙材料、微波吸收材料、电磁流变液、催化剂和生物等领域有重要应用.本文从控制核壳复合粒子的微观结构及壳层均匀性与厚度的角度,详细评述了目前以胶体粒子为模板制备粒径从纳米到微米尺度的核壳复合粒子的方法.指出利用胶体粒子模板表面与壳层物质或其前驱物间的特殊相互作用(包括静电和化学相互作用),是完善现有制备方法和发展新方法来制备具有设定组成、结构和性能的核壳复合粒子的关键,同时也是将来的粒子表面纳米工程和获取有序的、先进纳米复合材料的主要方向。  相似文献   
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