Application of step-scan FTIR to the research of quantum cascade lasers

Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy has moreadvantages over many other techniques for high resolu-tion studies in the mid-infrared and far-infrared spectralranges. In addition to the high frequency resolution, itexhibits a high signal-to-noise ratio (SNR), high through-put, and broad band range. There are two ways forthe spectrometer to implement the scan process, i.e.,the rapid-scan (continuous-scan) mode and the step-scan mode. Although many relatively simple rapid-scanFTIRs h…     

InP基应变自组装纳米材料及其光电子器件研究进展

半导体低维结构材料,如量子线(点)材料,由于其特殊的电子结构,在新一代光电子、微电子器件中有着重要的应用价值。本文对应变自组装InP基量子线(点)材料的生长制备、光学和电学特性及其在半导体激光器、红外探测器及其他光电子和微电子器件中的应用进行了综述,指出了目前需要改进的一些方面,并提出了一些相应的解决途径。     

InP基多周期InAs/InAlGaAs量子点阵列的结构和光学性质

在InP(001)衬底上使用分子束外延技术自组织生长了多周期InAs/InAlGaAs量子点阵列结构.根据对透射电镜和光致发光谱结果的分析,认为引入与InP衬底晶格匹配的InAlGaAs缓冲层可以获得较大的InAs量子点结构,而InAlGaAs层的表面特性对InAs量子点的结构及光学性质有很大影响.对InP基InAlGaAs缓冲层上自组织量子点的形核和演化机制进行了探讨,提出量子点的演化过程表现为量子点的合并长大并伴随着自身的徙动,以获得能量最优的分布状态.     

InP基多周期InAs/InAlGaAs量子点阵列的结构和光学性质

在InP（001）衬底上使用分子束外延技术自组织生长了多周期InAs/InAlGaAs量子点阵列结构。根据对透射电镜和光致发光谱结果的分析，认为引入与InP衬底晶格匹配的InAlGaAs缓冲层可以获得较大的InAs量子点结构，而InAlGaAs层的表面特性对InAs量子点的结构及光学性质有很大影响。对InP基InAlGaAs缓冲层上自组织量子点的形核和演化机制进行了探讨，提出量子点的演化过程表现为量子点的合并长大并伴随着自身的徙动，以获得能量最优的分布状态。     

GaAs基量子级联激光器材料结构设计的进展

GaAs基量子级联激光器的出现,在器件的设计制作和处理工艺上开辟了有意义的前景。本文概述了近年来GaAs基量子级联激光器在波导核心层、波导以及光学谐振腔方面设计的原理、进展,并介绍了一些新颖的结构。