有机半导体异质界面电荷传输解析模型研究

有机半导体多层薄膜器件的性质很大程度上由有机-有机界面的传输性质所决定，但是现有的关于有机-有机界面的分析模型很难适用于实际器件的模拟.以Miller-Abrahams跳跃传导理论为基础，充分考虑有机-有机界面和金属-有机界面性质的不同，建立了一个新的描述有机-有机异质界面电荷传输的解析模型.结果表明有机异质界面的载流子传输不仅取决于界面的肖特基势垒，而且还取决于界面附近两边的电场强度和载流子浓度.此模型可用于有机半导体多层薄膜器件的电流密度、电场分布和载流子浓度分布的自洽计算. 关键词： 有机半导体 界面 载流子传输     

八羟基喹啉镉薄膜制备及其光学特性

用真空蒸镀方法,在玻璃衬底上制备了衬底温度不同的八羟基喹啉镉薄膜.XRD分析表明,八羟基喹啉镉薄膜呈多晶态,且衬底温度越高,衍射峰越强,薄膜的结晶性能逐渐变好,结晶晶粒尺度也越大.AFM研究表明,衬底温度升高,薄膜表面形貌越均匀有序,质量变好.MM-16相调制型椭圆偏振光谱仪研究发现,衬底温度升高导致反蒸发增强,薄膜生长速率减小,随着入射光波长的增加,薄膜的折射率和消光系数逐渐减小.随着衬底温度升高,因薄膜晶粒尺度增大,折射率和消光系数也增大;并给出了它们的变化范围.     

功能层厚度对叠层有机电致发光器件出光性能影响的数值研究

功能层厚度是影响有机电致发光器件出光效率的主要因素之一,故获得不同功能层厚度对器件出光特性的影响规律是制备高性能器件的重要基础. 本文基于薄膜光学原理、电偶极子辐射理论及Fabry-Pérot微腔原理,建立了结构为glass/ITO/N,N0-bis（naphthalen-1-yl）-N,N0-bis（phenyl）-benzidine（NPB）/tris（8-hydroxyquinoline）aluminum（Alq₃）/molybdenum trioxide（MoO₃）/NPB/Alq₃/Al的叠层有机电致发光器件的光学模型,系统地研究了各个功能层厚度对叠层有机电致发光器件出光强度的影响,得到了功能层厚度对器件出光强度影响的规律. 该模型的建立与所获得的结果可对深入了解叠层有机电致发光器件的工作机理以及制备高性能的器件提供一定的帮助. 关键词： 叠层有机发光器件 出光特性 厚度 数值研究     

Na原子及类Na离子Fe15+价壳层光电离过程的理论研究

采用相对论多组态Dirac-Fock理论,计算了Na原子及类Na离子Fe15++基态的光电离截面.对Na原子,考虑相对论效应与弛豫效应,本文计算结果与前人计算结果和实验测量结果一致性较好.对Fe15+离子的最外价电子,相对论效应对其光电离过程产生主要影响,而轨道弛豫效应则可忽略不计;对中性Na原子则情况完全不同:轨道弛豫效应的影响非常显著,但其光电离截面对相对论效应仅有非常微弱的依赖.     

基于双壁碳纳米管低阈值1895nm锁模激光器

结合特殊设计的低阈值五镜折叠腔,利用垂直生长法自制的双壁碳纳米管,并将其作为可饱和吸收体在Tm,Ho…LLF激光器中实现了连续锁模运转。在连续激光运转下,吸收抽运阈值低至59 mW,光-光转化效率为30.09%。在腔内插入饱和吸收体后,吸收抽运阈值提高至107mW。当吸收抽运功率大于1562mW时,激光运转进入稳定的连续锁模状态,对应锁模脉冲的重复频率为100 MHz,脉冲宽度约为515ps;当吸收抽运功率达到2 W时,最高输出功率为234mW,中心波长为1895nm,对应最大单脉冲能量为2.34nJ。     

Medium Suppression of In medium Nucleon-Nucleon Cross Sections Predicted with Various Microscopic Calculations

The nucleon-nucleon cross sections in the dense nuclear matter are microscopically calculated by using Dirac- Brueckner-Hartree-Fock （DBHF） approximation with different covariant representations of the T-matrix, i.e., complete pseudo-vector （CPV）, pseudoscalar （PS） and pseudo-vector （PV） choices. Special attention is paid to the discrepancies among the cross sections calculated with these different T-matrix project choices. The results show that the medium suppression of the cross section given by DBHF in the CPV choice is not only smaller than those obtained in both PS and PV choices, but also smaller than the predictions with a nonrelativistic Brueckner-Hartree-Fock （BHF） method including three body force （3BF）. The further analysis reveals that the influence of the different choices on the cross section in the DBHF approximation is mainly determined by the state of smaller total angular momentum due to the medium effect being strongly suppressed in the higher angular momentum.     

八羟基喹啉镉薄膜制备及其光学特性

用真空蒸镀方法,在玻璃衬底上制备了衬底温度不同的八羟基喹啉镉薄膜.XRD分析表明,八羟基喹啉镉薄膜呈多晶态,且衬底温度越高,衍射峰越强,薄膜的结晶性能逐渐变好,结晶晶粒尺度也越大.AFM研究表明,衬底温度升高,薄膜表面形貌越均匀有序,质量变好.MM-16相调制型椭圆偏振光谱仪研究发现,衬底温度升高导致反蒸发增强,薄膜生长速率减小,随着入射光波长的增加,薄膜的折射率和消光系数逐渐减小.随着衬底温度升高,因薄膜晶粒尺度增大,折射率和消光系数也增大;并给出了它们的变化范围.     

非欧姆注入单层有机发光器件低场下电流传导温度特性的数值研究

温度是影响有机发光器件特性的一个重要因素,考虑了电流的注入限制和体限制之后,运用数值方法,研究了在低电场下温度对单层有机发光器件的J-V特性以及电场和载流子在有机层中的分布的影响。结果表明,在一定电压下,温度升高时,器件电流增大,有机层中载流子及其梯度分布增大,电场强度分布梯度也增大。并且当温度逐渐升高时,器件的电流传导将趋向于体限制,而当温度逐渐降低时,器件电流传导将趋向于注入限制,此时有机层内各处电场强度趋于均匀。并且结果表明,数值结果与实验结果符合得比较好。     

Tandem organic light-emitting diode with a molybdenum tri-oxide thin film interconnector layer

A 10-nm-thick molybdenum tri-oxide(MoO3) thin film was used as the interconnector layer in tandem organic lightemitting devices(OLEDs).The tandem OLEDs with two identical emissive units consisting of N,N-bis(naphthalen-1-yl)N,N-bis(phenyl)-benzidine(NPB) /tris(8-hydroxyquinoline) aluminum(Alq3) exhibited current efficiency-current density characteristics superior to the conventional single-unit devices.At 20 mA/cm2,the current efficiency of the tandem OLEDs using the interconnector layers of MoO3 thin film was about 4.0 cd/A,which is about twice that of the corresponding conventional single-unit device(1.8cd/A).The tandem OLED showed a higher power efficiency than the conventional single-unit device for luminance over 1200cd/m2.The experimental results demonstrated that a MoO3 thin film with a proper thickness can be used as an effective interconnector layer in tandem OLEDs.Such an interconnector layer can be easily fabricated by simple thermal evaporation,greatly simplifying the device processing and fabrication processes required by previously reported interconnector layers.A possible explanation was proposed for the carrier generation of the MoO3 interconnector layer.     

高离化态离子及其光电离过程基本特征的理论研究

在Dirac-Slater相对论理论框架下,研究了HCI（高离化态离子）的基本性质及其光电离过程的基本特征. 通常HCI的电场非常强,其电子波函数沿靠近核的径向空间被压缩,这极大地改变了相应的物质的性质,使HCI的光电离过程与一般的原子（离子）的相比较有很大的不同：原子核的尺寸效应和相对论效应变得更加重要,而多极效应对光电离截面的影响却趋于减弱.