基于对比度的双波段被动红外测距

建立了基于双波段对比度观测的被动测距算法.应用瞬时视场概念结合美国海军红外辐射传输模型描述大气透过率造成的衰减,在3.4～5μm,8～12μm波段上得到了目标对比度与探测距离的关系式.分析表明在相邻两个探测距离上可得到4个形如lnx bx c=0的超越方程.通过求解该超越方程组,即可获得相应的目标距离.最后,给出了本文算法的理论误差曲线,分析表明该测距误差小于对比度的测量误差,适用于工作在海域的对比度受限系统对点目标的距离估计.     

8-羟基喹啉铝作为修饰层对C60有机场效应管性能影响的研究

采用真空蒸镀技术制备了以喹啉铝(tris(8-hydroxyquinoline) aluminum, Alq3)作为修饰层的C60有机场效应管器件,并研究了修饰层的厚度对于器件性能的影响。实验表明,随着Alq3修饰层厚度的增加,器件的性能参数得到改进。当Alq3修饰层厚度为10nm时,器件场效应的迁移率达到最大值,为1.2810-2cm2/Vs,阈值电压也下降到了10V。分析了缓冲层使器件性能提高的主要原因可能有两个：一个是可以阻止金属原子扩散进入C60有机层,另一个是使Al/C60界面间的沟道电阻降低。     

Enhanced performance of C60 organic field effect transistors using a tris(8-hydroxyquinoline) aluminum buffer layer

We have investigated the properties of C60-based organic field effect transistors（OFETs） with a tris（8- hydroxyquinoline） aluminum（Alq3） buffer layer inserted between the source/drain electrodes and the active material. The electrical characteristics of OFETs are improved with the insertion of Alq3 film.The peak field effect mobility is increased to 1.28×10^-2 cm²/（V·s） and the threshold voltage is decreased to 10 V when the thickness of the Alq3 is 10 nm.The reason for the improved performance of the devices is probably due to the prevention of metal atoms diffusing into the C60 active layer and the reduction of the channel resistance in Alq3 films.     

C60场效应晶体管的制备及修饰层对器件性能影响的研究

以重掺杂Si片作为衬底,SiOe／聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）为双栅绝缘层,C60为有源层,制备了不同修饰层的有机场效应晶体管（OFETs）;研究了不同修饰层的器件对于场效应性能的影响。实验表明,与未加修饰层的器件相比,经过修饰的器件性能有一定的提高,其中Alqa／LiF双修饰层器件的场效应迁移率达到最大,为1．6×1...     

V2O5电极修饰对C60/Pentacene双层异质结场效应晶体管性能的影响

制备了用过渡金属氧化物V₂O₅修饰Al源、漏电极的C₆₀/Pentacene双层异质结有机场效应管.该构型器件与未修饰器件相比,呈现出典型的双极型晶体管传输特性.电子迁移率和空穴迁移率分别达到8.6×10^-2cm²/V·s^-1和6.4×10^-2cm²/V·s^-1,阈值电压分别为25 V和-25 V.器件性能改善的原因主要是由于插入V₂O₅修饰层后,可以明显降低Al电极与Pentacene之间的接触势垒,提高空穴的有效注入,从而使电子和空穴的注入接近平衡.研究表明,采用V₂O₅修饰电极方法,是制备低成本、高性能的双极型有机场效应管并实现其商业应用的有效途径.