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以杂化白光结构ITO/HAT-CN(10 nm)/TAPC(30 nm)/TCTA(10 nm)/TCTA:PO -01(10 nm ,4%)/MADN:DSA-ph(10 nm,5%)/BPhen(40 n m)/Liq(1nm)/Al(100 nm)为基础,分别用CBP 、SO和SO:TCTA作为间隔层,调节厚度及掺杂比例,研究不同间隔层对杂化白光器件性能的 影响。实验结果表明,SO作间隔层可以有效提高电子与空穴在黄光层的复合,增大器件电子 传输能力而使器件偏向白光,提高器件效率,且由于SO高的三线态能级,可以有效控制激子 复合区域的移动,器件色稳定性也得到提高。再将TCTA与SO掺杂作为间隔层,增强空穴传输 ,调控空穴和电子的传输与平衡,进一步提升器件性能,当SO∶TCTA掺杂比为9∶1时,有最大电流效 率31.60 cd/A,最大功率效率30.16 lm/W,电 流密度为10 mA/cm2时,CIE色坐标为(0.39 ,0.43),从0.1 mA/cm2-80 mA/cm2电流密度变化下色坐标变化(Δx,Δy)仅为(0.02),色坐标漂移小,色稳定性好。  相似文献   
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