5G回传的分组切片网络架构和关键技术研究

研究了5G回传网的新型切片分组网络架构和关键技术。在结合分段路由、以太虚拟专用网(EVPN)技术和L3到边缘部署方案的基础上提出极简IP网络技术,还研究了切片技术、新型光模块技术、网络自动化在5G回传网络中的应用。提出将这些新技术有机融合在一起的新型自动化5G回传网络架构,为5G回传网络的技术发展和网络建设提供重要依据。     

旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡

通过测试不同旁栅电压条件下的MESFET沟道电流的低频振荡现象,发现旁栅偏压无论朝正向还是负向变化都存在一个阈值可消除此低频振荡.并从理论上探讨了出现这种现象的原因,初步认为这与沟道衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关.     

GaAs MESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系

采用平面选择注入隔离工艺制作MESFET及旁栅电极,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对旁栅效应迟滞现象的影响.发现当延迟时间超过2s时,迟滞现象基本消失,旁栅效应达到稳态,而且准静态地改变旁栅电压,沟道电流的变化会达到一稳定值,与过程无关,于是可以避免迟滞现象.并从理论上解释了所发现的现象.     

中兴通讯：打造融合型PTN解决方案

自我国运营商开始进行PTN技术的相关研究以来,中兴通讯一直紧跟运营商的步伐,大力推进PTN技术的应用工作。在“2009IPRAN技术发展和移动回传应用研讨会”举办期间,本刊记者采访了中兴通讯多业务承载产品线IPTN产品总工程师赵福川、承载网产品经营办公室总工程师范成法。     

PTN技术与IP化移动回传网

融合了分组技术及同步数字体系（SDH）技术优势的分组传送网（PTN）技术以分组交换为核心,先天具备高效统计复用能力,更适应分组业务的高效传输。同时其类似SDH的强大运行维护管理（OAM）及电信级保护能力保障了移动回传业务的高效管理及传输质量。基于多协议标签交换传送应用（MPLS-TP）技术的分组传送网在多协议标记交换（MPLS）体系基础上去除了倒数第二跳（PHP）、标签合并及等价多路径（ECMP）等无连接特性,并在OAM、保护及同步技术方面做了相应增强,更适合承载IP化后的移动回传业务及大客户业务。PTN与原有多业务传送平台（MSTP）、城域以太网及IPoverWDM/OTN网络有机配合,合理分工,将共同服务于全IP时代的电信业务。     

T-MPLS分组传送技术最新进展

在电信业务的IP化趋势推动下,传输网承载的业务从以TDM为主向以IP为主转变,面向TDM业务设计的SDH传输网技术已难以满足数据IP业务的传送需求,主要的问题,一是基于固定VC容器作为传送单位,粒度大,种类少,     

GaAs MESFET旁栅效应与旁栅距的关系研究

旁栅效应是影响 Ga As器件及电路性能的有害寄生效应。本文研究了旁栅阈值电压 Vth SG与旁栅距 LSG的关系 ,发现 Vth SG的大小与 LSG成正比关系 ,并理论探讨了产生这一现象的机制 ,从而验证了旁栅阈值电压与旁栅距关系的有关理论。     

GaAs MESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系

采用平面选择注入隔离工艺制作 MESFET及旁栅电极 ,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数 ,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对旁栅效应迟滞现象的影响 .发现当延迟时间超过 2 s时 ,迟滞现象基本消失 ,旁栅效应达到稳态 ,而且准静态地改变旁栅电压 ,沟道电流的变化会达到一稳定值 ,与过程无关 ,于是可以避免迟滞现象 .并从理论上解释了所发现的现象     

旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡

通过测试不同旁栅电压条件下的 MESFET沟道电流的低频振荡现象,发现旁栅偏压无论朝正向还是负向变化都存在一个阈值可消除此低频振荡.并从理论上探讨了出现这种现象的原因 ,初步认为这与沟道-衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关     

高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响

本文利用Ｗｅｎｚｌ的ＧａＡｓ缺陷模型研究了在Ｔ＝１１５０℃时,Ｇａ１－ｘＡｓｘ固溶体化学计量比偏离度（Ｓ＝１－２ｘ）对ＧａＡｓ晶体气固相平衡的影响．计算表明平衡Ａｓ压在晶体富Ａｓ情况下（即Ｓ＜０）随Ｓ的减小,迅速增加、而在富Ｇａ情况下（即Ｓ＞０）随Ｓ的增大趋于零．为了了解杂质对相平衡的影响,本文考虑了非掺ＬＥＣ晶体中两种浓度较高的杂质Ｃ和Ｂ,发现在Ｃ浓度为１．５４×１０１６ｃｍ－３时,平衡Ａｓ压的变化趋势基本不变,Ａｓ压只有少许增加．在Ｂ浓度为２．２×１０１７ｃｍ－３时,平衡Ａｓ压在富Ａｓ侧有较大降低．