红外探测器倒装互连工艺中的铟柱高度研究北大核心CSCD

针对制冷型红外焦平面探测器倒装互连工艺中的铟柱高度展开了调研,结果显示目前行业内关于该工艺中的铟柱高度设计的离散性较大,铟柱高度范围为5~24μm,差值达到了19μm。本文构建了包含探测器芯片、铟柱、填充胶、钝化层和UBM的像元级有限元仿真模型,并根据不同的铟柱直径和高度开展了60组仿真计算,根据计算结果绘制了p-n结区最大应力值的变化曲线,并分析了应力变化规律。     

TD-SCDMA系统终端HSDPA射频一致性测试分析

3GPPR5版本引入的HSDPA技术,对TD—SCDMA终端的射频性能及基带处理能力提出了更高的要求,同时也给终端的一致性测试增加了新的内容。本文介绍了TD—SCDMA终端HSDPA射频一致性测试的基本原理,结合3GPP协议,对TD—SCDMA终端HSDPA射频一致性测试的目的和方法进行了分析。     

S与Hf/Ta/W掺杂锐钛矿相TiO2电子结构和 光学性质的第一性原理研究

运用第一性原理密度泛函理论,计算了S单掺及S和过渡金属X(Hf、Ta、W)共掺锐钛矿相TiO2后的电子结构和光学性质.计算结果表明,S单掺及S和X(Hf、Ta、W)共掺杂锐钛矿TiO2后,带隙变窄,表明掺杂后的体系导电性能增强,其中Ta、W与S共掺后,费米能级穿过导带,表现出n型半导体特征;光学性质结果表明:掺杂后各体系的吸收光谱吸收带边均发生红移,S-Ta共掺和S-W共掺体系红移程度最大,并且在可见光区域出现吸收峰,S-W共掺体系的吸收峰最大,说明了该体系的光催化功能较强.各掺杂体系的反射率主峰均向低能方向移动,共掺移动幅度更大,且S-W共掺体系的反射系数在可见光区最大.各共掺体系的静态折射率依次增大,其中S-Hf共掺体系静态折射率在各体系中最小.     

红外探测器锗窗口无助焊剂回流焊接工艺研究

对红外探测器锗窗口无助焊剂回流焊接工艺进行了研究,在还原性气氛下使用铟焊料片对不同镀层体系的锗窗口和可伐合金进行了焊接试验。通过对不同镀层体系下焊接的窗口部件的焊缝形貌、真空漏率分析、X射线无损检测分析以及可靠性试验分析,表明通过对锗窗口和可伐合金焊接面镀金处理,在还原性气氛下回流焊接可以制备出满足密封要求和环境适应性要求的窗口部件。     

Nd、N掺杂ZnO的电子结构和光学性质的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理,使用GGA+U方法计算出N、Nd分别单掺ZnO及N、Nd共掺ZnO晶体的形成能,能带结构,态密度及光学性质.经过对比发现:N、Nd各掺杂ZnO中,共掺体系比单掺体系更容易形成,其中低浓度掺杂难度更低;共掺体系随着掺杂浓度的升高,其畸变的强度就越强,禁带宽度变窄,电子跃迁到导带上所需的能量更小,光吸收系数较大,并且都产生了红移,光谱响应范围扩展到了整个可见光区域;共掺体系在低能区域的介电谱峰值较高,说明其极化能力较强,光生电场强度较大,会使光激发载流子在晶体内的迁移变快,对电荷的束缚能力增强.因此N、Nd共掺可以有效提升ZnO的光催化性和极化能力.     

(1+1)维非局域非线性介质的边界对表面孤子的影响

对非局域非线性介质中, (1+1)维表面亮孤子进行了研究, 主要考虑了边界对孤子的影响. 首先, 在归一化系统中, 对于给定的边界条件, 求出了表面孤子的解析解, 得到了表面孤子的临界功率和平衡位置. 其次, 在数值模拟中, 发现当样品宽度太小时, 受到边界影响而很难形成表面孤子, 只有当样品宽度足够大时, 边界对孤子的影响可以忽略, 从而形成稳定传输的孤子, 并与解析的结果相似. 此外, 还考虑了在光束偏离平衡位置入射的情况下, 边界对孤子的影响, 发现此时光束在边界附近做周期性震荡, 相当于体介质中双光束相互作用的结果, 两者运动轨迹与震荡周期完全符合. 关键词： 非局域非线性 边界 样品宽度 周期震荡     

红外探测器高精度低温钎焊引线环设计北大核心CSCD

针对制冷型红外探测器引线环高精度定位的需求,本文设计了一种低温钎焊引线环,研究了引线环的制备工艺。选取具有高强度、低熔点的金锡钎料,在350℃以下焊接引线环的金属件与陶瓷件。通过研究钎焊温度和保温时间对焊缝质量与漏率的影响,成功制备了具有高气密性的高精度引线环。     

底涂剂在大面阵红外探测器粘接工艺中的应用研究

硅橡胶粘接剂具有良好的耐低温性能,因此常被用于制冷型红外探测器复合基板的粘接工艺.研究了底涂剂对硅橡胶粘接强度的影响.拉伸试验结果表明,直接粘接的试样在液氮温度下的平均粘接强度为4.07 MPa,而使用底涂剂预处理的试样的平均粘接强度则达到6.34 MPa.另外,通过观察拉伸试样断口,发现使用底涂剂预处理的试样的断口表...