可变增益的功率放大器单片微波集成电路

根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理,设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真,研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在6~9 GHz频率范围内,1 dB压缩点输出功率大于33 dBm,当控制电压在-1~0 V之间变化时,放大器的增益在5~40dB之间变化,增益控制范围达到了35 dB。将功率放大器与增益控制电路制作在同一个单片集成电路上,面积仅为3.5 mm×2.3 mm,具有灵活易用、集成度高和成本低的特点,可广泛应用于卫星通信和数字微波通信等领域。     

腾讯分拆风险大于机遇

来信点评：《IT时代周刊》总第249期封面故事《失控的腾讯开始自救》读者观点：腾讯只怕不是被“大企业”病打倒。而是自己的分拆断臂。腾讯的“大企业”病确实已经成为其发展的蘑要桎梏，实际上．之所以腾讯没仃受到什么重大的挑战，是因为目前腾汛优势太明显了，任何一个挑战者对于腾讯来说都只能实现一种局部的暂时性领先，而很快会被挫败。因为腾讯不但自己水平高，还可以把你的优势都吸收了，你几乎没有什么办法和它竞争。     

光缆双向数模混合传输系统设计

讨论了利用ＷＤＭ技术、数字复接及解复接技术、信号合成与分离技术、信号调制解调技术、ＰＣＭ编解码技术和光纤发射与接收技术等技术，用一根光纤进行多路模拟和多路数字信号双向传输试验的系统设计和电路设计。最后提供了试验结果。     

5～40GHz CMOS衰减器的设计与实现

基于GF 8HP 0.12 μm BiCMOS工艺设计并实现了一款应用于相控阵系统的具有低幅度均方根(RMS)误差的单片集成5～40 GHz5 bit数控衰减器.该衰减器采用桥T和单刀双掷(SPDT)开关结构,其中的NMOS开关管通过采用体端悬浮技术,改善了衰减器在全部衰减态下插损的平坦度,降低了衰减器的插损,提高了衰减器的线性度.测试结果显示,在5 ～ 40 GHz频段内,该5 bit数控衰减器的插损最小值为5.7 dB,最大值为14.2 dB,幅度均方根误差小于0.39 dB,相移均方根误差小于5.7°,1 dB压缩点输入功率大于+11 dBm,芯片核心面积为0.86 mm×0.39 mm.     

计算机基础教学模式的创新

计算机基本技能是大学生学习其他课程的基础之一。因此,大部分高等学校在学生刚进校门的第一年就会让学生学习计算机基础这门课程,以便于为今后的学习提供必要的保障。但是,到目前为止,各大高校的计算机基础教学虽然取得了一定的成绩,但是仍然存在许多问题,例如学生重视力度不够等等。这些问题要求我们创新计算机基础教学。本文深入分析计算机基础教学模式中存在的问题,系统的阐述了对高校计算机改革创新的一些看法和建议。     

基于GaN HEMT的S波段内匹配功率放大器设计北大核心CSCD

采用内匹配技术和平面功率合成相结合的设计方法,设计并实现了一款S波段功率放大器。在设计过程中,先通过预匹配电路将功率芯片的阻抗适当提高,进而利用Wilkinson功分器进行功率合成。该放大器基于中国电子科技集团公司第十三研究所自主研制的GaN HEMT管芯芯片。通过优化设计该放大器在25%的相对带宽、漏源电压28 V、脉宽8 ms和占空比50%的工作条件下,实现了输出峰值功率P out大于70 W,功率附加效率ηPAE大于54%,充分显示了GaN功率器件宽带、高效和高功率的工作性能,具有广阔的工程应用前景。     

亚麻叶碱蓬适盐特性的初步研究

亚麻叶碱蓬生长在高含盐量的土壤上,幼苗死亡率很高,且这一过程存在时空异质性.研究发现:亚麻叶碱蓬幼苗在生长过程中,盐壳导致其大量死亡,而幼苗盐鞘的发育、生长的“时滞性”和急速生长现象可能有利于幼苗存活.本文对亚麻叶碱蓬幼苗生长期的叶自然饱和亏、肉质化程度、电解质渗透率和离子在植物体内的含量与分布、及其与土壤中离子含量的关系作了初步研究,以期发现植物适盐的方式和机制,为干旱区盐生植物的资源利用、盐渍化土地的改良提供理论和实践依据.     

基于GaN HEMT的S波段内匹配功率放大器设计

采用内匹配技术和平面功率合成相结合的设计方法,设计并实现了一款S波段功率放大器。在设计过程中,先通过预匹配电路将功率芯片的阻抗适当提高,进而利用Wilkinson功分器进行功率合成。该放大器基于中国电子科技集团公司第十三研究所自主研制的GaN HEMT管芯芯片。通过优化设计该放大器在25%的相对带宽、漏源电压28 V、脉宽8 ms和占空比50%的工作条件下,实现了输出峰值功率P out大于70 W,功率附加效率ηPAE大于54%,充分显示了GaN功率器件宽带、高效和高功率的工作性能,具有广阔的工程应用前景。