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对于-个含有未知参数的It(o)随机微分方程中,针对某一实际问题,如果该方程解的值可以量测得到,则可以依据这些量测值,反求方程的未知参数.这就是本文考虑的It(o)随机微分方程之反问题.本文将其转化成-个优化问题,首先研究了It(o)方程的解关于参数的连续依赖性及可微性,进而计算出优化目标泛函关于参数的梯度,最后使用拟牛顿信赖域法来确定未知参数的最佳近似值. 相似文献
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本文定义了一个向量组所能构造的两个齐次线性方程组:分量型和向量型齐次线性方程组.随后得出:向量组之间的线性表示和等价性与它们对应的分量型齐次线性方程组的解之间关系不大,但与它们对应的向量型齐次线性方程组的解之间的关系密切,可以相互刻划.在此基础上指出了教材《线性代数》(第二版,同济大学数学教研室编)中有关部分的安排及叙述的不妥之处. 相似文献
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小波的传递函数构造法 总被引:2,自引:0,他引:2
本从小波与尺度函数的传递函数出发,给出了构造小波母函数及尺度函数的构造方法,根据此方法,首先以小波与其尺度函数的传递函数为起点,构造了一个非正交小波,随后以此小波和一个已有的非正交步波为基准,进一步推广得到了一类非正交小波及尺度函数类,在非正交小波的基础上,利用将尺度函数正交化的方法,构造出了相应正交小波的函数值。 相似文献
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考虑一类具有正负跳(正负跳大小服从Erlang分布)的存贮过程的首中时,利用马氏无穷小算子的方法来刻画首中时的拉普拉斯变换. 相似文献
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Ni金属诱导晶化非晶硅(a-Si:H)薄膜 总被引:1,自引:1,他引:0
对在氢化非晶硅薄膜(a-Si:H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的上艺及薄膜特性进行了研究。XRD测最结果表明非晶硅在500℃退火1h后就已经全部晶化。金属诱导晶化的优选晶向为(220).而且晶粒随退火时间的延长而长大。非晶硅薄膜样品500℃下退火6h后的扫描电镜照片显示,原金属镍覆盖区非晶硅全部晶化.晶粒均匀.平均晶粒大小约为0.3μm,而且已经发生横向晶化。EDS测试Ni在晶化的非晶硅薄膜中的原子百分含量分析表明,金属Ni在MILC过程中的作用只是催化晶化.除了少量残留在MILC多晶硅中外.其余的Ni原子都迁移至晶化的前沿。500℃下退火20h后样品的Raman测试结果也表明.金属离子向周边薄膜扩散.横向晶化了非晶硅薄膜。 相似文献
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被动调Q产生1064 nm脉冲激光在腔外聚焦后入射到KTP中,产生532 nm的倍频光,再通过LBO和频产生355 nm激光。当抽运功率为3.4 W时,基频光调Q输出平均功率为350 mW,峰值功率达3.5 kW。腔外二倍频532 nm绿光输出平均功率为110 mW,用Ⅰ类相位匹配LBO晶体和频获得36 mW的355 nm的紫外激光输出,三倍频效率(1064~355 nm)达到10.2%。由于Cr∶YAG晶体达到饱和吸收后,会呈现出各向异性的特征,对基频光的偏振状态有很大影响。实验中必须合理放置复合晶体,使基频光的偏振状态为近似线偏振以提高转换效率。 相似文献