广电IPTV频道组播快速切台方案研究

全路由网关场景下,如要实现IPTV频道快速切换,主要难点在于解决网络地址转换后机顶盒与FCC系统的RTP/RTCP数据交互问题。基于IPTV频道快速切换标准增加NAT穿越报文,并重新定义FCC请求消息、FCC请求响应消息格式,解决机顶盒与FCC系统的RTP/RTCP数据交互问题。该方案同时适用于ONU、iHGU终端。     

煅烧制度对ZnTiO3∶2;Eu3+荧光粉的结构和发光性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备了ZnTiO3:2; Eu3+荧光粉,研究了不同煅烧制度下ZnTiO3:2; Eu3+荧光粉的结构和发光性能.结果表明:在煅烧温度为600 ～ 900℃时,可以得到六方相ZnTiO3,1000℃分解为立方相,随着煅烧温度的升高,激发光谱中电荷迁移带的峰值逐渐发生红移;发射光谱中样品发射峰的位置基本保持不变,样品中Eu3+的红光发射强度(5D0→7R)在煅烧温度为700℃时达到最大.在保温时间为1～6 h的范围内,发光强度随着保温时间的增长先增强后减弱,在700℃、保温4h的煅烧处理下ZnTiO3:2; Eu3+荧光粉发光性能最好,且其色度坐标比目前商用红色荧光粉更接近国际照明协会的指定坐标.     

具有分段P型埋层的Triple-RESURF LDMOS

提出了一种具有分段P型埋层的Triple-RESURF LDMOS(SETR LDMOS)。该结构将传统Triple-RESURF LDMOS(TR LDMOS)中均匀掺杂的P埋层漏端一侧做分段处理,使漂移区中P型杂质从源端到漏端呈现出近似阶梯掺杂的分布。这种优化能够平衡漏端底部剧烈的衬底辅助耗尽效应,提升器件的耐压性能;同时,器件正向导通状态下,对电流的传输路径也没有形成阻碍,能够维持较低的比导通电阻。流片结果表明,在漂移区长度均为65μm的情况下,SETR LDMOS的击穿电压能达到813 V,比传统TR LDMOS的击穿电压高51 V,且比导通电阻维持在7.3Ω·mm²。