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研究了充有不同温度退火Fe基纳米晶粉芯LC回路的磁致频移特性(MFS),发现充有不同温度退火Fe基纳米晶粉芯LC回路的磁致频移不同,充有经600℃退火Fe基纳米晶粉芯LC回路的磁致频移最灵敏。 相似文献
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提出了由中间为高电导率的非铁磁性金属丝外面包裹一层铁磁材料组成的复合结构丝的电流 密度分布和巨磁阻抗(GMI)效应模型,并对Cu/FeCoNi复合丝进行了数值模拟. 结果表明:在 相同的磁性材料几何尺寸和磁特性时,Cu/FeCoNi复合丝铁磁层内的电流随频率的升高比匀 质FeCoNi铁磁丝内的电流更趋于表面分布,而且开始出现趋肤效应时对应的频率明显降低. 当在比较低的频率下就可以观察到明显的MI变化时,复合结构丝中的电阻和电抗变化主要是 由趋肤效应引起,趋肤效应仍然是引起复合结构材料(包括多层薄膜结构)
关键词:
电流密度
巨磁阻抗效应
趋肤效应 相似文献
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利用飞秒激光的抽运探测技术,研究了单脉冲飞秒激光作用下GeSb2Te4相变薄膜的非晶化过程,测量了相变薄膜的时间分辨光学显微图。所研究的系统为多层薄膜结构100 nm ZnS-SiO2/ 35 nm GeSb2Te4 /120 nm ZnS-SiO2/0.6 mm ,飞秒激光的脉冲宽度为108 fs,波长为800 nm。实验发现相变薄膜从晶态至非晶态的相转变过程可以在 2.6 ns内完成。讨论了相变薄膜的厚度对系统的热传递、快速凝固过程的影响,分析了相关热过程和热效应,解释了抽运探测实验数据,并探讨了单脉冲飞秒激光诱导相变薄膜非晶化的机制。 相似文献
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合成方法和合成环境对ZnO纳米结构的直径和形貌具有重要影响。研究了采用直接生长法和二次种子法在传统环境和微流控芯片中制备的ZnO纳米结构的直径和形貌差异。结果表明,不同的合成方法和合成环境所制备的ZnO纳米结构直径和形貌不同,二次种子法在传统环境和微流控芯片中均可实现ZnO纳米刷结构的制备。其中,二次种子法在微流控芯片中可以实现对ZnO纳米刷结构的快速制备,主干和分支的平均横向生长速率分别为457.4和304.8 nm/h。所制备的ZnO纳米刷结构分布更均匀、取向性好,且纳米分支在主干侧面均匀密集分布,具有良好的取向性。此外,研究了不同浓度的一次种子溶液对ZnO纳米结构的直径和形貌的影响。结果表明,浓度为1 mmol/L的一次种子溶液可以有效促进二次生长过程中分支成核和分支生长。实验结果证明,在微流控芯片中可以构建连续流反应器,通过对合成参数和流体运动的精准调控,可实现对ZnO纳米刷结构的低成本、快速、可控合成。 相似文献
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设计并制备了集成微液滴阵列的微流控芯片,通过微腔室捕获液滴形成稳定的液滴阵列,用于图案化ZnO纳米材料的合成。利用液滴诱导和两相流体剪切的模式分别在两种不同的芯片结构中构建微液滴阵列,探究了不同表面活性剂质量分数和不同流体体积流量条件下微液滴阵列的稳定性,并以稳定的微液滴阵列合成单元制备氧化锌纳米材料,分析反应物更新对ZnO纳米材料的形貌和晶体结构的影响。结果表明,两相流体剪切模式芯片中形成的微液滴阵列更为稳定,不需要在矿物油中添加表面活性剂就可以成功构建微液滴阵列,但油相体积流量过大(1 600μL/h)或者过小(5μL/h)会导致微液滴阵列不能成功构建。两相流体剪切模式芯片二在生长时间2 h、更新间隔时间10 min条件下合成的ZnO纳米棒形貌均一,有望实现高效的微液滴阵列构建,并应用于纳米材料的原位合成和分析。 相似文献
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采用化学镀方法成功制备了自带电容构成LC共振回路的CoP/Insulator/BeCu复合结构丝. 研究了这种新型复合结构丝产生LC共振型巨磁阻抗效应的特征,长度为lm=95 cm的复合结构丝,当驱动电流频率为LC共振频率fr=290 MHz时,LC共振型巨磁阻抗效应为4875%,磁场灵敏度为046%/A·m-1,大于常规复合结构丝;远离此频率时的巨
关键词:
复合结构丝
LC共振')" href="#">LC共振
等效电路模型
巨磁阻抗效应 相似文献