ODF工艺中边框胶穿刺的影响因素研究

根据ODF(OneDropFilling)工艺的实际生产情况,探讨了液晶量、边框胶涂布效果、关键工艺生产节拍(TactTime)和外围边框胶(DummySeal)设计方式对边框胶穿刺情况的影响,发现ODF工艺中液晶与未固化的边框胶接触是发生边框胶穿刺的根本原因。液晶量越大边框胶穿刺情况越严重;边框胶涂布效果的直线性越好,其穿刺情况越轻微;液晶与未固化边框胶的接触时间越长,其穿刺情况越严重,甚至出现大量漏液晶;外围边框胶开口式设计有利于改善边框胶穿刺情况。     

Al-N共掺杂ZnO:Mn稀磁半导体薄膜的结构与性能

采用反应磁控溅射法在室温下沉积前驱体氮化物,在大气环境、500℃下氧化退火30min后获得了Al-N共掺杂ZnO:Mn薄膜。研究了直流与射频反应磁控溅射对氧化退火薄膜结构和性能的影响。结果表明:两种工艺制备的退火薄膜均具有ZnO纤锌矿结构,且均为n型导电。射频溅射退火样品具有很好的c-轴择优取向,其表面光滑平整,表面粗糙度RMS值为1.2nm,且具有室温铁磁性,饱和磁化强度(Ms)和矫顽力(Hc)分别为46.8A·m–1和4.9×103A·m–1;而直流溅射退火样品表面凹凸不平,RMS值为25.8nm,室温下是反铁磁性的。     

ODF真空贴合系统研究

文章介绍了TFT-LCD生产中,液晶滴下(One Drop Filling,ODF)所涉及真空贴合系统(Vacuum Align System,VAS)的结构及其发展情况,概述了VAS的工艺过程,重点介绍了该系统中真空单元、基板吸附单元和基板对位单元及其发展。