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该文考虑了一类受环境噪声影响,具有Logistic增长和Beddington-DeAngelis发生率的随机SIRS传染病模型.通过构造Lyapunov函数并利用It?公式,证明了全局正解的存在唯一性,得到了决定疾病灭绝或持久的充分条件.最后,利用Matlab进行了数值模拟来说明理论结果的正确性. 相似文献
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用氢等离子体腐蚀了半导体材料(如:GaAs、GaSb、InP、Si等)及其氧化物和氮化硅的表面。采用光谱椭圆仪、俄歇波谱仪和扫描电子显微镜(SEM)等综合分析技术,研究了刻蚀速率、表面组分和形态。实验证明:氢等离子体对于SiO_2上的硅和GaAs上的GaAs氧化物的选择刻蚀速率分别为30和2左右。还表明,经氢等离子体腐蚀的(曝露在空气中)GaAs表面上Ga/As的浓度比近似等于GaAs空气解理面上的Ga/As的浓度比。对于GaSb也得到了类似的结果。氢等离子体腐蚀过的InP表面呈现出偏析现象,即富In的表面结构。椭圆仪和电子显微镜测量的结果表明:半导体及其氧化物的腐蚀速率与被蚀物质的种类有关,对不同种类的化合物,腐蚀速率有几个数量级的差别。实验还证明:扫描椭圆仪可以用于表面腐蚀过程的监控。讨论了使用氢等离子体对材料表面制备的一些优缺点及在刻蚀方面的应用。 相似文献
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裂解气相色谱法分析蓝色中性笔字迹的书写墨水种类及墨迹随书写时间的变化规律 总被引:2,自引:0,他引:2
中性笔是当前比较流行的一种书写工具,其墨水多采用颜料作为色料成分,很难用水和有机溶剂进行提取,故无法利用分析圆珠笔油墨和水性笔墨水所采用的气相色谱或高效液相色谱等方法进行检验。目前在法庭科学领域内还没有一种有效的方法用于分析中性笔字迹的书写墨水。采用裂解气相色谱法分析了蓝色中性笔字迹的书写墨水,根据色谱峰的个数和保留时间将收集的65个样品分成3类,其中大部分样品属于具有铜酞菁颜料主要色谱峰的第二大类。色谱峰的保留时间和峰面积比值的分析结果表明所建立的分析方法重现性好且稳定。在此基础上,对蓝色中性笔墨迹随书写时间的变化规律进行了初步研究,得出了老化曲线。 相似文献
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以GaN为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础,是信息产业前进的发动机,同时有可能改变人类照明光源的技术现状。本文对GaN固体光源的起源和发展做了回顾和展望,并给出几种可见光功率LED芯片的结构及其封装特点,最后指出在未来50年内,用GaN固体光源取代白炽灯照明将成为现实。 相似文献
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应用正交试验设计方法,对旋耕碎茬通用刀片单刀扭矩(功率消耗)进行试验:1)通过方差分析方法找出了影响通用刀片扭矩的主要因素为刀片转速,其次为耕深,而机组作业速度对通用刀片的扭矩无显著影响;2)应用函数逼近理论建立了功率消耗与刀片转速、功率消耗与耕深之间的函数关系,通过这些函数关系可以预测通用刀片的功率消耗. 相似文献
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本文用弱连续法研究p(x)-Laplacian方程组.在一定假设下,我们应用弱连续法证明p(x)-Laplacian方程组在无界区域上全局弱解的存在性,在此基础上,又进一步证明此全局弱解的局部W~(2,2)正则性. 相似文献