P波段脉冲调制激励放大组件

叙述一种Ｐ波段脉冲调制激励放大组件的设计方法及测试结果，采用微波单片集成电路和微波功率晶体管内匹配技术，制作出５４０－６１０ＭＨｚ下增益ＧＰ≥３０ｄＢ、输出功率ＰＯ≥５Ｗ±０．５ｄＢ的脉冲功率放大器。     

基于负载牵引法的小型化功率模块设计

为了更准确地设计功率放大器,放弃了依靠调试的设计方法而采用负载牵引法进行大信号参数提取并以此为基础进行放大的设计.阐述了管芯大信号模型理论,介绍了利用负载牵引技术对管芯进行大信号参数的提取过程,运用ADS软件对功率放大器的微波性能如增益、驻波比和功率附加效率等进行了优化,并在此基础上设计了S波段小型化功率放大器模块.制作的单级功率放大器模块在500 MHz带宽内Gp＞9 dB,VSWR≤1.5:1,Pou≥34.6 dBm.     

QPSK非平衡性调制技术

正交相移键控(QPSK)调制技术已经在工程中得到了广泛应用,然而随着电子对抗技术的发展,QPSK的非平衡调制技术水平也得到了相应的提高,以专门针对通信或定位中的QPSK调制进行干扰.介绍一种实用的QPSK非平衡性调制技术及其系统构成,并对单片DDS调制芯片进行分析,对系统配置及软件开发的主要步骤分别说明.采用该技术可以有效解决干扰信号形成,并且与计算机接口兼容性好,可靠性高,具有较强的工程实用性.     

P波段3kW GaN功率器件的研制

介绍了一款高压高功率GaN功率器件及其匹配电路。基于国内高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究基础,选取了GaN HEMT芯片,确定了器件的总栅宽。根据GaN HEMT芯片阻抗,器件内部进行了LC谐振匹配设计,外部采用双边平衡同轴巴伦进行推挽匹配设计。散热方面通过改善封装管壳热沉材料提高热导率。最终成功研制出高压、3 kW的GaN功率器件,该器件在工作电压为60 V、工作频率为0.35~0.45 GHz、脉宽为300μs、占空比为10%条件下,频带内输出功率大于3 kW、功率增益大于16 dB、功率附加效率大于71%、抗负载失配能力不小于10∶1。     

L波段脉冲功率放大器幅相一致性技术研究

文章对相控阵天线T/R组件阵列中的微波功率放大器幅相一致性技术进行了分析和讨论,对影响单级放大器的相移特性进行了研究,并介绍了控制放大器幅相一致性的几点方法和措施。     

S波段30 W微波脉冲功率放大器模块设计

介绍了S频段微波脉冲功率放大器模块的设计方法和试验研制过程.利用内匹配技术,采用混合集成电路制作,将四级芯片集成到微型封装的金属密封管壳中,前两级芯片采用GaAsMMIC电路,第三级采用GaAs FET晶体管,末级采用Si双极型晶体管完成功率放大,结合了GaAs器件电路和Si器件电路的各自优点.在S波段、带宽300 MHz频率范围内试制出Gp≥45 dB,Po≥30 W的功率放大器模块,模块的体积为27 mm×18.5 mm×5 mm.     

半导体激光器可靠性评估系统设计

介绍了一种基于单片机控制的可预置工作电流值、工作温度值的半导体激光器可靠性评估系统的软、硬件设计方法.该方法以89C51单片机为核心部件,通过闭环反馈控制系统对工作电流、工作温度进行比较、调整,提高系统精度.该可靠性评估系统可实时显示工作电流及工作温度值.     

小型化功率放大模块

介绍了ＶＨＦ频段小型化功率放大模块的设计方法和试验研制过程,采用混合集成电路技术,将两级芯片集成到微型封装的密封管壳中,采用内匹配技术,实现阻抗匹配,提高和改善增益。在 １３０～１８０ＭＨｚ率范围内,试制出Ｇｐ≥３０ｄＢ,Ｐｏ≥１．５Ｗ,л≥５０％的功率放大模块。功率放大模块的体积为１５ｍｍｘ１０ｍｍｘ５ｍｍ,其质量只有 ３克。     

P波段脉冲调制激励放大组件

叙述一种Ｐ波段脉冲调制激励放大组件的设计方法及测试结果，采用微波单片集成电路和微波功率晶体管内匹配技术，制作出５４０～６１０ＭＨｚ下增益Ｇｐ≥３０ｄＢ、输出功率Ｐｏ≥５Ｗ±０．５ｄＢ的脉冲功率放大器。