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本文通过电子显微技术对金属氧化物的畴结构进行静态表征,并对其微观力学形变机理进行研究。(1)利用电子衍射和球差校正透射电子显微技术,对Mg-Al-O的畴结构以及原子尺度界面构型进行分析,实验结果表明阳离子空位的有序是形成MgAlxOy相的可能原因;(2)利用原位电子显微技术研究了量子限域尺度ZnO结构的稳定性及CuO纳米线的滞弹性,揭示了应力诱导的ZnO的可逆结构相变过程以及空位迁移诱导的CuO结构相变。论文结果有助于理解金属氧化物复杂缺陷结构与性能之间的关联。 相似文献
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传统硫族化合物中阳离子相同时,随着阴离子原子序数的增加,价带顶逐渐升高,带隙呈减小趋势.在A2BX4基(A=V,Nb,Ta;B=Si,Ge,Sn;X=S,Se,Te)化合物中,观察到随着阴离子原子序数增加,其带隙呈现反常增大的现象.为了探究其带隙异常变化的原因,基于第一性原理计算,对A2BX4基化合物的电子结构展开系统地研究,包括能带结构、带边相对位置、轨道间耦合作用以及能带宽度等影响.研究发现,Nb2SiX4基化合物中Nb原子4d轨道能量明显高于阴离子p轨道,其价带顶和导带底主要由Nb原子4d轨道相互作用组成,其带宽主要影响带隙大小.Nb2SiX4基化合物的带隙大小通过Nb—Nb和Nb—X键共同作用于Nb原子4d轨道的宽度来控制.当阴离子序数增加时,Nb—Nb键长增加,其相互作用减弱,由Nb原子4d轨道主导的能带变宽,带隙减小;另一方面,Nb—X键长增加又使Nb原子4d带宽变窄,带隙增加,并且Nb—X键长增长占主导,所以带隙最终呈现异常增加的趋势. 相似文献
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β-Ga2O3的力学性能关系到相关电子器件的制造、封装以及应用,然而目前关于β-Ga2O3单晶的力学变形机制研究还相对匮乏。本文研究了(100)β-Ga2O3单晶在压应力作用下的力学行为,发现其极易沿着(100)B面脆断,并计算得到该材料的断裂应力范围为314.1~615.1 MPa。进一步揭示了不同长径比、不同直径对β-Ga2O3纳米柱力学变形行为的影响,实验结果表明:当长径比>2时,β-Ga2O3纳米柱在不同直径下均沿着(100)B面发生脆断;当长径比<2且直径<200 nm时,(100)β-Ga2O3发生脆性向塑性的转变,表现为先沿着■面发生滑移,之后沿着(100)B面断裂。最后,讨论了晶体学取向对于小尺寸β-Ga2O3塑性的影响,研究结果为理解β-Ga 相似文献
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材料的电子非弹性平均自由程(λ)是描述电子在材料中的输运性质的重要参数。然而通过实验技术直接获取材料的λ较为困难。本文介绍了一种基于EFTEM实验技术获取SrTiO3单晶λ的方法:(1)采用聚焦离子束(FIB)技术制备了具有梯度厚度(100~800 nm)的SrTiO3截面样品I,并利用EFTEM得到SrTiO3薄片各个阶梯区域t与λ的比值a;(2)利用FIB将截面样品Ⅰ进行二次加工得到截面样品II,并利用透射电子显微技术(TEM)直接测量各个梯度区域的t,λ即为t与a的比值。实验中测得单晶SrTiO3<001>和<110>方向的λ分别为124.7 nm和120.7 nm。研究结果对利用EFTEM技术测量λ具有重要的指导意义。 相似文献
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