LaFeO3栅膜FET气体传感器的研究

本文采用溶胶－凝胶技术制备ＬａＦｅＯ３纳米晶薄膜，并摸索出该薄膜的光刻方法，将这一成膜技术与集成电路平面工艺相结构，首次研制出了纳米晶薄膜作为栅极的场效应晶体管气体传感器，它对乙醇具有较高的灵敏度和良好的选择性。     

LaFeO_3 栅膜 FET 气体传感器的研究

本文采用溶胶－凝胶技术制备ＬａＰｅＯ３纳米晶薄膜，并摸索出该薄膜的光刻方法，将这一成膜技术与集成电路平面工艺相结合，首次研制出了纳米晶薄膜作为栅极的场效应晶体管气体传感器，它对乙醇具有较高的灵敏度和良好的选择性．     

中心锥形槽状光敏门极的200A，1200V光控双向晶闸管的研制

本文具体描述了锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的设计思想，介绍了该新型结构器件的关键的生产工艺，并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究．研制成功的直径为３０ｍｍ，电流容量为２００Ａ，耐压为１２００Ｖ；的光控双向晶闸管的最小光触发功率小于１３ｍｗ，通态峰值压降小于１．５Ｖ，换向ｄｖ／ｄｔ耐量大于１００Ｖ／μｓ，换向ｄｉ／ｄｔ耐量大于５０Ａ／μｓ．     

500A,1200V光控双向晶闸管的研制

本文具体描述了中心锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的结构特点，介绍了该新型结构器件的关键生产工艺，并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究。研制成功的直径为４０ｍｍ，电流宣传品量为５００Ａ，耐压为１２００Ｖ的光控双向晶闸管的最小光触发功率小于１５ｍＷ，动态峰值压降小于１．６Ｖ，换向ｄｖ／ｄｔ耐量大于１００Ｖ／μｓ，换向ｄｉ／ｄｔ耐量大于５０Ａ／μｓ。     

开管镓扩散技术改善快速晶闸管通态特性

对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne／Nb，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ga扩散技术的特点，并与闭管Ga扩散和B－A1双质P到扩散方式进行了比较。实验证明，用开管Ga扩散工艺制造快速晶闸管，可明显改善器件的通态伏安特性。     

高灵敏度500A,2000V光控晶闸管的研制

本文介绍一种高灵敏度光触发晶闸管的结构特点及关键的生产工艺,并对该器件进行了理论分析和主要参数的计算机辅助设计,提出了带有薄n层的台阶形光敏门极结构可使器件获得较高的光触发灵敏度和较好的触发灵敏度与dv/dt耐量间的协调关系。研制成功的直径为45mm、容量为500A、耐压为2000V的器件的最小光触发功率小于3mW,dv/dt耐量大于1000V/μs,di/dt耐量大于100A/μs通态峰值压降小于2V。     

LaFeO3纳米晶薄膜及其气敏特性的研究

本文采用溶胶-凝胶方法,经过550℃、1小时的固相反应,得到粒径为40～45nm,均匀性良好的LaFeO₃纳米晶薄膜。将这一成膜技术与集成电路平面工艺相结合,首次研制出了NCF-OSFET气敏元件,它对乙醇具有较高的灵敏度和良好的选择性。     

闸流晶体管的态电压理论计算(英文)

<正> The on-state loss in a thyristor is of much concern, and its most important parameter is the on-state voltage which should include the junction voltage Vj, the bulk voltage Vm and the ohmic contact voltage. In this paper, the equations of Vj and Vm,, suitable to the thyristor, are obtained on basis of an ideal model of a pin diode.