220GHz GaAs单片集成分谐波混频器

基于在30μm厚的GaAs衬底上开发的平面肖特基二极管,设计了220 GHz GaAs单片集成分谐波混频器。考虑了二极管外形结构对电磁波传输的影响,采用场路结合联合仿真的经典方法建立二极管模型来仿真其电性能,并利用这一模型在非线性电路仿真软件中对混频器的性能进行仿真和优化。制作的220 GHz分谐波混频器模块在本振频率为110 GHz、输入功率为6 dBm的条件下进行测试。结果表明,在射频频率210～220 GHz内,混频器模块的单边带变频损耗小于11 dB,在220 GHz处具有最小变频损耗,为7.2 dB。     

一种基于交互式视频网络的高清机顶盒

设计了一种基于交互式视频网络技术的高清机顶盒(STB),主要采用SIGMA DESIGN公司的SMP8634芯片以及周围的一些接口电路来完成,并分别介绍了机顶盒各个硬件组成部分的功能以及相应的软件结构.     

基于数据提纯的图像融合

以一种稳健的数据提纯策略实现了全自动的图像融合。首先采用精度较高的特征点提取和匹配算法获得两幅图像间特征点的伪匹配集合，在特征点提取误差符合高斯分布的假设下，对伪匹配集合进行了参数的定量分析，并将它按参数阈值分成了内点和外点，剔除了不够准确的噪声数据，在内点域上线性和非线性地估计出图像间的点变换关系，形成了一种稳健的数据提纯算法。随后根据估计出的变换关系对两幅图像进行重采样，注册到一幅新的空白图像中形成一幅融合图像，实现了全自动的图像融合。实验表明本文的算法稳健，融合效果不错。     

太赫兹平面肖特基二极管参数模型

根据太赫兹平面肖特基二极管物理结构,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了二极管小信号等效电路模型。依据该二极管等效电路模型设计了基于共面波导（CPW）去嵌方法的二极管S参数在片测试结构,并对其在0.1~50 GHz、75~110 GHz频率范围内进行了高频小信号测试,利用测试结果提取了高频下二极管电路模型中各部分电容、电阻以及电感参数。将相应的高频下电容与电阻参数分别与低频经验公式电容值和直流I-V测试提取的电阻值进行了对比,并利用仿真手段对高频参数模型进行了验证。完整的参数模型以及测试手段相较于理想二极管SPICE模型和传统的参数提取方法可以更为准确地表征器件在高频下的工作状态。该建模思路可用于太赫兹频段非线性电路的优化设计。     

量子信息技术综合标准化研究

给出了量子信息技术的概念范畴,梳理了国内外政策支持情况及国际国内标准化发展情况。结合上述研究,同时考虑了标准技术成熟度分析方法,给出了量子信息技术综合标准化分析,提出量子信息技术综合标准化工作思路。     

0.22 THz宽带混频电路研究

基于中国电子科技集团公司第十三研究所的反向并联肖特基二极管,采用电磁场和电路软件联合仿真,完成了0.22 THz分谐波混频电路设计。在固定中频输出频率10 MHz的条件下测试了混频电路的变频损耗,在175~235 GHz共60 GHz带宽内双边带变频损耗小于15 dB,在196 GHz处最佳变频损耗为8.5 dB。测试结果与仿真结果趋势吻合良好。基于冷热负载,测试了分谐波混频电路的噪声温度,当本振功率为5.7 mW时,在216 GHz处双边带噪声温度为1 200 K。     

多波长分光光度线性回归法同时测定铍和铝

王保宁等提出多波长数据线性回归法并应用于锰、锌的同时测定。本文探索用此法不经分离同时测定铍和铝。计算方法按文献。铬天青S、TritonX-100与铍、铝生成有色配合物已用于光度法测定铝,本文研究选择598—616nm作为测定波长范围,取10个波长作为测定点。加入1,0μgBe及1.0μgAl/25ml时回收率在83.3—113％范围内。 (一)仪器和试剂岛津UV-240自动记录紫外-可见分光光度计,TI-59可编程序计算器。     

新媒体三屏业务 融合运营解决方案

1．广电总局对新媒体的管理要求 面对新媒体业务蓬勃的发展态势，以及国家对于三网融合的政策要求，一方面电信运营商、各大视频门户网站以及各地有线网络运营商急切希望包括央视．百视通以及各地电视台机构能够源源不断地输入节目内容，吸引用户的访问。一方面，作为内容播出和管理机构．广电总局也希望加强对内容输出、业务呈现的监管体系的建设。     

化学与酶促相结合合成人生长激素基因

根据人生长激素(hGH)的氨基酸序列和大肠杆菌密码子的偏好性, 全面优化hGH的密码子, 添加表达调控元件后合成序列的全长为1040 bp, 采用化学方法拆分成30条单链寡核苷酸. 采用改进的两步法拼接成全基因, 得到2个全序列正确的基因. DA-PCR和OE-PCR拼接产物经T7核酸内切酶Ⅰ处理, 合成基因中的碱基错误率降低了93.93％.     

GaAs/AlN异构集成太赫兹倍频器芯片

针对太赫兹GaAs肖特基二极管倍频器芯片散热能力差导致输出功率低的问题,开展了GaAs/AlN异构集成太赫兹倍频器芯片研究。通过稳态热仿真发现,将肖特基二极管芯片衬底由GaAs替换为热导率更高的AlN可以降低结温。对芯片衬底替换工艺开展了研究,获得了GaAs/AlN异构集成太赫兹二极管。分别对基于GaAs衬底二极管和基于GaAs/AlN异构集成二极管的162 GHz倍频器开展功率性能测试对比。测试结果表明:装配GaAs衬底二极管的倍频器输入功率为200 mW时,输出功率最高为43.6 mW;而装配GaAs/AlN异构集成二极管的倍频器输入功率提高到316 mW,输出功率为72.4 mW。肖特基二极管由GaAs衬底替换为AlN衬底后耐受功率(输入功率)提高了约58%,倍频效率由21.8%提升至22.9%,输出功率也相应提升,验证了相比GaAs衬底肖特基二极管,GaAs/AlN异构集成太赫兹二极管的散热性能及耐受功率具有明显的优越性。