表面层型半导体陶瓷电容器

1　引言半导体陶瓷电容器 (以下简称半导Ｃ)特大的比体积电容量 (ＭＦ/ｃｍ3 )是传统陶瓷电容器所不可比拟的 ,这种小型化的新型元件具有颇具吸引力的市场潜力 特别是在尚未ｌ0 0 %或不需 10 0 %采用ＳＭＴ组装技术的电子产品中 ,如电视机、计算机、音响、电话机、电子玩具、白色家电……等产品中的耦合、隔流、滤波、旁路等电路中使用半导Ｃ ,无疑是最佳选择 目前市场需求热点是Ｙ5Ｖ、Ｙ5Ｕ、Ｙ5Ｐ三种温度特性组别的Ｂａ ＴｉＯ3 基表面层型半导Ｃ和具有更佳温度特性、频率特性和更高使用频率 (达几ＧＨｚ)的ＳｒＴｉＯ3 基晶界层型半…     

二甲基硫和乙硫醇在层状K1-2xMxTiNbO5(M=Mn2+、Ni2+)上的吸附与光催化氧化作用

采用固相法制备出具有层状结构的KTiNbO₅,通过离子交换制备K_1-2xM_xTiNbO₅(M=Mn²⁺、Ni²⁺)。采用X射线粉末衍射（XRD）和紫外－可见漫反射光谱技术对样品晶体结构与光谱响应特征进行表征,采用红外光谱方法考察样品对二甲基硫（DMS）和乙硫醇（EM）吸附与光催化氧化行为。结果表明,采用Mn²⁺和Ni²⁺对KTiNbO₅离子交换后,层板间距增加,对光谱吸收由紫外区移向可见光区,带隙能量由3.35eV相应地移至2.97eV和2.45eV。K_1-2xM_xTiNbO₅对DMS和EM的吸附作用力较弱,不受阳离子影响。K_1-2xMn_xTiNbO₅只在紫外光辐射下呈现催化活性,并将硫醚、硫醇氧化为亚砜、砜和磺酸;而K_1-2xNi_xTiNbO₅在可见与紫外光辐射下均具有光催化活性,在可见光辐射下,乙硫醇被氧化至磺酸,而在紫外光辐射下硫醇被矿化并产生硫酸盐与碳酸盐。     

表面层型半导体陶瓷电容器

对表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构原理、关键生产技术、关键设计参数、关键生产设备以及电容器规格和典型特性作了简要介绍。     

CCF片式塑封型交流瓷介电容器

多层瓷介电容器(MLCC)制成交流瓷介电容器相对困难,利用用于制备圆片瓷介电容器的单层被银瓷片,开发设计了片式交流瓷介电容器以满足市场需要。将陶瓷芯片与带状连体引线焊接后,再模塑环氧树脂封装和切割成型,由单层被银瓷片制成了C型(内折弯)和Y型(外折弯)单层片式塑封型交流瓷介电容器。该产品制造相对容易,且可靠性高,适用于SMT。     

中国电子元件与材料资深专家章士瀛

中国电子学会会士,IEEE高级会员,美国纽约科学院院士章士瀛教授级高级工程师1931年出生于山东泰安市,1953年毕业于山东大学电讯专业。1954～1956年赴前苏联学习。1956～1988年历任电子工业部715厂总设计师、总工程师、副厂长。他于1978年3月出席了全国科学大会,1988年以来历任东莞市电子工业总     

DCF型交流圆片瓷介电容器

通过对陶瓷介质、导体浆料、包封料等材料的选择，以及陶瓷介质厚度、被银瓷片留边量的设计，采用干压成型法成型，控制生坯密度为３．６２～３．９０ｇ／ｃｍ３，研制成功了额定电压为ＡＣ２５０Ｖ、ＡＣ４００Ｖ的ＤＣＦ型交流瓷介电容器。该产品已取得ＣＣＥＥ、ＵＬ、ＶＤＥ和ＣＳＡ安全认证。