纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象

对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂,B掺杂效率比P高,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer-Neldel规则,并有反转Meyer-Neldel规则出现.掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄膜的特点之一.非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一定贡献.     

一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管

提出了一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管结构。详细地分析了源、漏电极接触区和沟通区内载流子的输运特性。论述了在背光照射下,这种结构的ＴＦＴ能有铲抑制关态电流上升的机理。研究了有源层ａ－Ｓｉ：Ｈ膜层厚度对ＴＦＴ关态电流和开态电流的影响。检测辽种结构ＴＦＴ在暗态和背照射下的静态特性。     

自对准结构α－Si：HTFT特性的分析和研究

本文描述了用自对准工艺制各自对准结构的α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ。从理论上分析了有源层α－Ｓｉ：Ｈ的厚度对α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，据此提出一种新型的双有源层结构的α－ＳｉＴＦＴ。它可以有效地提高自对准α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的开态Ｉ＿（ＯＮ），其通断电流比Ｉ＿（ＯＮ）／Ｉ＿（ＯＦＦ）＞１０￣５。     

非晶硅薄膜晶体管矩阵的计算机辅助测试(英文)

本文提出了一种通过外接电容的耦和电压推算出晶体管特性的矩阵器件测试方法。利用本系统可以对晶体管进行逐个扫描,并推算出缺陷的类型和分布、矩阵板的均匀性及器件特性。同时文中引入了统计分析以确定标准值的范围。     

晶化前后有源层的刻蚀对poly—Si TFT性能的影响

在普通玻璃衬底上低温（600度以下）制备poly-Si TFT有源矩阵液晶显示器是当前的研究热点,采用金属诱导横向晶化法低温研制了poly-Si TFT。分析了晶化前后有源层的刻蚀有poly-Si TFT性能的影响。     

实现多晶硅薄膜等离子氢化的新工艺

根据多晶硅薄膜氢化的微观机理,提出改进氢化效果的工艺方法,在不增加设备投资的情况下,采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢化效果,从而提高薄膜晶体管的性能,ＩＯＮ／ＩＯＦＦ从１０＾３量级,氢化工艺的处理时间也相应缩短。     

多晶硅薄膜的等离子氢化新工艺

根据多晶硅薄膜氢化的微观机理,提出改进氢化效果的工艺方法。在不增加设备投资的情况下,采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢化效果,从而提高薄膜晶体管的性能,ＩＯＮ／ＩＯＦＦ从１０＾３量级增加到１０＾５量级,氢化工艺的处理时间也相应缩短。     

多晶硅薄膜的新型激光晶化制备方法

采用两步激光晶化方法制备了多晶硅薄膜 ,其晶粒尺寸为 1.1μm,比用传统单步晶化制备的薄膜晶粒尺寸大 ,表明该方法对扩大晶粒尺寸很有效。拉曼光谱分析表明 0 .30 J/ cm2晶化的薄膜结晶程度已很高     

MOS隧道结的光发射

介绍了一种新型的半导体电致发光器件并讨论了提高其发射效率所采取的措施