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基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,研制了在0.8 ～4 GHz频率下,输出功率大于50 W的宽带平衡式功率放大器.采用3 dB耦合器电桥构建平衡式功率放大器结构;采用多节阻抗匹配技术设计了输入/输出匹配网络,实现了功率放大器的宽带特性;采用高介电常数Al2O3基材实现了小型化功率放大器单元;采用热膨胀系数与SiC接近的铜-钼-铜载板作为GaN HEMT管芯共晶载体,防止功率管芯高温工作过程中因为热膨胀而烧毁.测试结果表明,在0.8～4 GHz频带内,功率放大器功率增益大于6.4 dB,增益平坦度为±1.5 dB,饱和输出功率值大于58.2W,漏极效率为41％ ～62％. 相似文献
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设计了一种L波段高效率阵列应用GaN功率放大器,该模块包含基于谐波控制方法设计的高效率末级功率放大器和一个基于小信号S参数方法设计的高增益驱动功率放大器.高效率末级功率放大器最高效率达到82％.整个高效率功率放大器模块幅度一致性小于±0.35dB,相位一致性优于±3.6°,输出功率大于18W,效率大于52.8％. 相似文献
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