InSb红外探测器结构杜瓦瓶烘烤放气分析

一、前言大部分红外探测器都在低温、真空环境下工作,需要致冷器。红外探测器结构杜瓦瓶(以下简称杜瓦瓶)是致冷器的一种,它既是探测器的组成部分,又是致冷剂的贮存装置。杜瓦瓶内残余气体种类和数量直接影响探测器的性能和致冷剂贮放时间。杜瓦瓶一般分为金属和玻璃两种类型,玻璃类型用得较多。为了保证杜瓦瓶的静态真空度,同一般电真空器件一样,必须选材合理、密封可靠、除气彻底、消气有     

铌酸钡钠固液同成分探讨

本文通过差热(DTA)、热重(TGA)、灼烧失重和x-射线衍射方法对铌酸钡钠(以下简称BNN)的原材料和合成料进行了综合分析;确定了我单位所用原材料的灼烧失重量及BNN的反应性;制定了BNN合成料的烧结程序。采用DTA测BNN晶体和熔体居里点方法对七个配方进行了分析,初步确定了在我们配料和拉晶工艺条件下BNN固液同成分范围为:(BN/BN+NN)69.5～71％(克分子),Nb_2O_5-51～52％(克分子);验证了我单位的2~＃配方比1~＃配方更接近同成分;研究了不同热过程对BNN晶体居里温度的影响。     

基于BP网络的雷达故障诊断

针对传统故障诊断技术的局限性,探讨了基于BP神经网络的故障诊断方法,并结合雷达系统故障诊断的特点,建立了基于神经网络的雷达故障诊断系统。系统在Windows环境下,使用面向对象程序设计,使故障诊断智能化、简单化。实验表明,该系统提高了故障诊断的效率。     

铌酸钡钠晶体线膨胀测定

本实验通过普通光学膨胀仪测定了配方Na_2O:BaO:Nb_2O_5为7.2:42.2 :50.6(克分子百分比)铌酸钡钠(简称BNN)单晶三个不同取向的单位线膨胀与温度的关系;测定了BNN室温以上两个相变温度;验证了此两个相变属于一级相变;扼要地讨论了孪晶的存在对不同取向的BNN晶体O-T转变膨胀特性的影响。     

YAG:Nd、YAG:Nd:Cr晶体热线膨胀特性

一、前言固体激光材料YAG:Nd、YAG:Nd:Cr属于立方晶系晶体。对于完整的理想晶体,在光学、热学、机械性质上是各向同性的。作为固体激光材料,为了估价和设计固体激光器,需要有准确的折射率温度系数和热线膨胀系数。对于热线膨胀系数,虽然文献〔2～9〕有报导,但数据差异较大,并且与膨胀系数有关的样品成份、结晶状态和取向、测量的温度范围等参数报导得不详细。本报告利用普通光学膨胀仪对YAG:Nd、YAG:Nd:Cr不同成分、取向单晶棒进行了热线膨胀特性测定,提供了某些参数条件下的单位线膨胀和平均线膨胀系数数据。     

二氧化钛光学薄膜理化特性研究

一、前言TiO_2是光学和电学应用最重要的介质材料。TiO_2膜具有耐磨擦、硬度高、附着力强、耐潮湿等良好的机械性能和化学稳定性,在可见和近红外区透过率高,特别是具有高的折射率(n=2.1～2.76)。这些特点使光学薄膜工作者对TiO_2膜产生了极大兴趣。在理论上,Ti-O体系存在一系列钛氧化物,直接真空蒸发TiO_2,由于TiO_2发生分解失氧,形成高吸收的低价钛氧化物,所以得不到TiO_2膜。随着反应蒸发和反应溅射技术的出现和发展,真空镀制TiO_2膜     

Ti_3O_5——反应蒸发镀制TiO_2光学膜的材料

一、前言研制高消光比硬质偏振片选择SiO_2-TiO_2组成的非规整膜系进行,采用任意厚度控制方法(该方法获得了国家发明奖)镀制非λ/4膜系最基本的条件要求在整个镀膜过程中TiO_2膜折射率稳定,再现性好。因此,必须保证蒸镀过程中蒸发材料结构、成分稳定,蒸镀工艺参数稳定可靠,而直接用TiO_2材料不能满足上述条件,为此研究一种新的含钛的氧化物作为镀膜原料是很必要的。二氧化钛薄膜具有优良的机械、化学、光学性能,是光学和电学应用最重要的介质薄膜     

钛锆混合氧化物光学镀膜材料特性

一、前言文献〔1〕作者首先利用钛锆混合氧化物作为三层增透膜中间高折射率材料镀制增透膜,并指出,这种材料有利于形成均匀性膜,能有效地消除ZrO_2膜折射率的“负”向非均匀性,增透膜的光学质量和工艺重复性较好。文献〔2、3〕介绍了利用重量比为1∶1的钛锆混合氧化物、文献〔4〕介绍了利用氧化锆、氧化钛克分子比为5∶1的混合氧化物作为高折射率材料制备激光硬膜反射镜,反射率优于99.8％。同时     

器件质量级微晶硅薄膜光稳定性研究

利用射频等离子体增强化学气相沉积（RFPECVD）技术,通过改变SiH4浓度制备了一系列不同晶化率（Xc）的本征Si薄膜材料。通过测量其Raman谱和光、暗电导率（σph、σd）研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微观结构的关系,然后对样品进行老化实验,测量其光照前后的吸收系数α及量子效率、迁移率和寿命的乘积nμτ。分析其光照前后光电性能的变化规律结果表明,相变域附近的微晶硅（μc-Si：H）薄膜材料适合制备μc-Si2H太阳电池;结合退火实验的结果发现,μc-Si：H材料中的非晶成分是导致微晶材料光电特性衰退的主要原因。