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利用ANSYS软件对测量行波管电子注截面的法拉第筒探头进行了热分析研究。分析了在单脉冲情况下,测量各种直径的不同脉冲功率密度的电子注、不同脉冲宽度对法拉第筒温度的影响,研究了测量不同功率密度的电子注可以使用的脉冲宽度。结果表明,仅法拉第筒上的注斑区域温度迅速上升,温度梯度较大,其它部分温度基本不变,为保证法拉第筒能够持续正常工作,在单脉冲情况下,对于功率密度大于5×106 W/cm2的电子注,需使用宽度小于0.5 μs的脉冲,最好是0.1 μs和0.2 μs的脉冲进行测量,与文献结果相符。测量一定功率密度的电子注,需选择合适的脉冲宽度。另外,考虑热量的累积效应,分析了脉冲重复频率对法拉第筒工作温度和散热情况的影响。结果表明,脉冲重复频率设为10~100 Hz是比较合适的。 相似文献
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对影响氧化铝陶瓷介电性能(介电常数、介电损耗和介电强度)的各种因素进行了较为系统的评述,并对相应的影响机理进行了分析和探讨.希望能为电真空用氧化铝陶瓷的质量控制和检验提供理论依据,同时也为工艺方法(包括材料工艺和电真空器件工艺)的选择提供有益的技术参考. 相似文献
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各向同性热解石墨作为一种新型的碳素材料由于具有许多优良的性能,而适宜制作真空电子器件的零部件。本文采用真空离子镀技术对其实现了表面金属化,并对金属化层从膜厚、组分、结合强度以及AgCu 焊料的润湿性方面进行了性能分析。结果表明：真空离子镀CrNi 层的力学性能良好,AgCu 焊料在其表面的润湿性能良好。 相似文献
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利用电阻温度系数法对冷弹压法、缠钼带热挤压法、石墨热挤压法、磁控溅射覆膜法及新型的无变形热挤压法制备的慢波组件散热性能进行了实验研究,结果表明石墨热挤压法、磁控溅射覆膜法和无变形热挤压方法比冷弹压法和传统的缠钼带热挤压法制备的慢波组件散热性能强许多.传统的石墨热挤压法可与无变形热挤压法制备的组件的散热能力相比拟,但石墨热挤压法会引起慢波组件的两次变形,使慢波组件的微波反射点增多增强,溅射镀膜法比无变形热挤压法制备的慢波组件散热性能强一些,但由于焊接法工艺的复杂性降低了其优势.这些结果为制备散热性能强的慢波组件提供了有益的实验结果. 相似文献
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实验中制备了W-Re,W-Sc,W-Zr,W-Y合金阴极,其中Re,Sc,Zr,Y元素所占合金阴极材料的质量分数都为5%。二次电子发射系数测试结果显示,Re掺杂合金阴极对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著,掺杂5% Re的W-Re合金阴极材料具有最大二次电子发射系数,其值为1.8,相比于纯钨阴极,能够提高80%。鉴于Re对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著,对Re掺杂质量分数分别为20%,10%,6%,5%,4%,3%W-Re合金阴极材料二次电子发射系数进行了研究,发现随着Re在W-Re合金阴极材料中含量的降低,其二次电子发射系数在不断增大,仅当Re含量下降至5%左右时,合金阴极具有最大二次电子发射系数,继续下降至4%,合金阴极二次电子发射系数不但没有升高,相反下降至1.41,当下降至3%时,合金阴极二次电子发射系数值迅速降低为1.1。 相似文献
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本文从玻璃相扩散迁移、Mo的化学态和添加Mn的作用几个方面对氧化铝基陶瓷高温Mo-Mn法金属化机理进行了分析和总结,给出了高纯氧化铝陶瓷（包括99氧化铝陶瓷、透明氧化铝陶瓷）一些实验研究结果。通过对实验结果的分析和讨论,指出了高纯氧化铝陶瓷金属化配方设计、工艺参数控制等方面应把握的技术要点。实验研究结果对工程中高纯氧化铝陶瓷的金属化和封接工作具有一定的指导作用。 相似文献
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