可见光半导体激光器的发展现状

目前,电视唱片再生以及激光印刷等方面用的光源,几乎都是使用以He-Ne激光器为中心的气体激光器。但是近几年来,随着800毫微米波段近红外半导体激光器的迅速发展,自然提出了用可见光半导体激光器取代上述气体激光器光源的要求。与气体激光器相比,半导体激光器具有体积小、工作电压低、能直接高速调制、便于集成化等优点。虽然也可以使用红外半导体激光器作为上述光源,但若使用可见光半导体激光器,则直     

国外半导体激光器发展概况

作为光通信和光信息处理的光源——半导体激光器实现室温连续工作已经整整十年了。十年来,国外半导体激光器的研制工作一直开展得很活跃。进展迅速,成果显著。随着科学技术的发展,半导体激光器开拓了新的应用领域。要求它的波长能沿着两个方向发展:即一个是短波方向,研制用于0.57—0.80μm波段的可见光激光器,另一个是     

用点缺陷产生模型估计InGaAsP-InP和GaAlAs-GaAsDH激光器的寿命

本文是将远距离结异质结激光器的缺陷模型进行扩展,用它来解释普通双异质结激光器的老化特性。认为激光器的退化主要取决于两种因素:其一是老化前保持在限制层内的可动缺陷在老化过程中朝p-n结运动并积聚在那里,第二是由于注入载流子的非辐射复合在有源区产生了可动缺陷。我们利用这种模型,首次得出InGaAsP-InP激光器的极限寿命比AlGaAs—GaAs激光器长得多。     

用金属有机化学汽相淀积法制备的寿命起过700小时的Al_xGa_(1-x)As-GaAs双异质结激光器

用金属有机化学汽相淀积法制作的Al_xGa_(1-x)As—GaAs多量子阱异质结激光器,室温(～26℃)连续工作寿命已超过700小时。在这个时间内器件的输出特性无任何退化。     

(AlGa)As连续激光二极管的可靠性

本文评论了影响连续(CW)(AlGa)As激光二极管可靠性的主要因素。基于我们目前所掌握的有关镜面损伤、按触退化和内部损伤三种因素对器件性能的影响,它们的起源以及如何降低或消除它们等方面的知识,讨论了这三种退化模式。给出了氧化物条型激光器的详细结果,虽然可靠性结果强烈地依赖于制作工艺,许多退化结果与制作工艺同时共存,我们也着重讨论了这方面的问题。我们实验室工作的激光器,室温连续寿命大于40000小时,平均外推失效时间为10~5～16~6小时。在这些激光器中,镜面退化和接触退化看来可以从工艺上进行控制,而起支配作用的失效机构是内部损伤。虽然还未得到很好地论证,但对内部损伤而言,将0.7eV的激活能用于高温加速寿命试验是很有用的。绝大多数可靠性数据都涉及到阈值电流的增加,但是,远场图形的漂移以及激光器调制特性的变化(如自激振荡)同样会影响激光器在实际系统中的特性。     

Ⅲ—Ⅴ族四元合金的禁带宽度和晶格常数的等高线

本文介绍了由 Al、Ga、In 和 P、As、Sb 组成的九种四元合金的禁带宽度和晶格常数的等高线。四元合金的禁带宽度是使用 Moon 等人提出的内插法公式得到的;而晶格常数是以二元晶格常数为边界值,使用线性内插方法得到的。引言在诸如电—光器件和微波器件等大量应用领域[1—6],Ⅲ-Ⅴ族四元半导体已成为一种十分重要的材料。其中一个重要的原因是四元合金能够获得具有固定晶格常数和可     

室温连续工作10000小时的In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)/InP双异质结激光器

在20℃干氮气氛中对(100)—InP衬底上制备的In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)/JnP双异质结激光器进行了寿命试验。其中一只激光器工作已超过10000小时,其阈值电流增加约15％。即使长期连续工作后,激光器的条型区也很少有暗线缺陷和暗斑缺陷出现。仅观察到起源于(110)方向的暗线缺陷。