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1.
主要介绍了数据转换系统选择放大器时应注意的几个问题,并就选择放大器的重要性作了详细探讨。  相似文献   
2.
6σ设计水平的评价   总被引:2,自引:1,他引:1  
在介绍6σ设计概念和目标的基础上,给出设计水平与百万机会缺陷数(DPMO)关系的计算表达式和关系曲线,并开发了计算机模块,能自动计算与不同设计水平对应的DPMO值,也可以根据实际的DPMO值,自动评价达到的设计水平。  相似文献   
3.
现代电子工业Cpk评价中的特殊问题   总被引:2,自引:0,他引:2  
现代电子工业生产具有许多新的特点,如果不针对具体情况,均采用传统工业生产中广泛使用的常规方法计算其工序能力指数,评价生产工艺水平,将可能导致错误的结论。总结了电子工业生产中工艺参数的典型特点,并讨论了工序能力指数的正确计算方法。  相似文献   
4.
利用Matlab和Simulink对DSP进行系统级的设计方法   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文介绍了利用Matlab和Simulink中Developer‘s Kit for TI DSP工具对DSP进行系统级设计的方法。  相似文献   
5.
本文基于微通道板MCP(Microchannel Plate)探测器件设计一套成像系统,用于对波长为30.4nm的极紫外EUV(Extreme Ultraviolet)光进行成像.结果获得了一宽度为3mm的狭缝的像,实验测得490μm的成像系统的空间分辨率,并分析了影响系统分辨率的各种因素及为提高系统分辨率所应采取的措施.  相似文献   
6.
二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究   总被引:12,自引:0,他引:12       下载免费PDF全文
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic 关键词: 二氧化钒 电阻温度系数 氧分压 射频反应溅射法  相似文献   
7.
贾朝华 《中国科学A辑》1991,34(7):695-709
本文将证明:对充分大的奇数N,下面的方程有解...  相似文献   
8.
Si基膜片型气敏传感器微结构单元的热学性能   总被引:3,自引:0,他引:3  
微结构气敏传感器由于其微型化、低功耗、易阵列化和易批量生产等优点而受到国内外研究者的广泛关注。利用微机电系统(MEMS)加工技术,制备Si基膜片型微结构单元,并分析其热学性能。这种单元工作区温度为-300℃时,加热功率约75mW;并且膜片工作区的热质量很小,温度可以于毫秒量级的时间内,在室温和450℃之间调制。利用这种微结构单元,可以在温度调制方式下,研究气敏薄膜的电学特性和敏感机理。  相似文献   
9.
文[1]把“传球”问题推广到一般情况:m(m≥2,m∈N*)个人互相传球,甲先发球作为第一次传球,经过n(n≥2,m∈N*)次传球后,球仍回到甲手中,则不同的传球方法有多少种?并推得一般结论an=mm-1[(m-1)n-1-(-1)n-1].图1圆文[2]把“种植”问题推广到一般情况:如图1,一个圆形花坛分为n(n≥3,n∈N*)个扇形,种植m(m≥3,m∈N*)种不同颜色的花,要求相邻两部分种植不同颜色的花,有多少种不同的种植方法?也推得一般结论:an=(m-1)n (-1)n(m-1).文[1]的结论难记,随手整理一下:an=1m[(m-1)n (-1)n(m-1)].这是文[2]的结论的m分之一!这激起了我的好奇心!经过探索…  相似文献   
10.
在不同激光脉宽下的高次谐波   总被引:3,自引:2,他引:1  
用数值计算方法计算了不同强激光脉冲宽度下高次谐波的产生.我们发现对于激光场强度不高,不能有效电离初态的激光场,长脉冲宽度可以更有效产生高次谐波;而对于高场强的激光场,由于它能够在几个光学周期之内把原子的初态全部电离,所以短脉冲的激光场能够更有效产生高次谐波.  相似文献   
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