溅射沉积HfON:Tb薄膜的光致发光

用直流溅射法沉积了HfON:Tb薄膜.对样品在空气中进行了不同温度的退火处理.用荧光光谱仪测试了样品的光致发光,在可见光区域观测到了强的发光峰.发现随着样品退火温度的变化,不同位置发光峰的强度有明显不同变化,并有微弱的蓝移.分析了发光机理,得出可见光区的发光是由于Tb离子产生的.发光峰的强度和Tb离子的浓度有关系,在达到一定值以后会发生浓度淬灭效应.     

溅射沉积HfON∶Tb薄膜的光致发光

用直流溅射法沉积了HfON∶Tb薄膜. 对样品在空气中进行了不同温度的退火处理. 用荧光光谱仪测试了样品的光致发光,在可见光区域观测到了强的发光峰. 发现随着样品退火温度的变化,不同位置发光峰的强度有明显不同变化，并有微弱的蓝移. 分析了发光机理,得出可见光区的发光是由于Tb离子产生的. 发光峰的强度和Tb离子的浓度有关系，在达到一定值以后会发生浓度淬灭效应.     

稀土掺杂多孔硅的蓝光发射

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溅射沉积HfON:Tb薄膜的光致发光

用直流溅射法沉积了HfON:Tb薄膜.对样品在空气中进行了不同温度的退火处理.用荧光光谱仪测试了样品的光致发光,在可见光区域观测到了强的发光峰.发现随着样品退火温度的变化,不同位置发光峰的强度有明显不同变化,并有微弱的蓝移.分析了发光机理,得出可见光区的发光是由于Tb离子产生的.发光峰的强度和Tb离子的浓度有关系,在达到一定值以后会发生浓度淬灭效应.