Influence of Triangle Structure Defect on the Carrier Lifetime of the 4H-SiC Ultra-Thick Epilayer

Effect of triangle structure defects in a 180-μm-thick as-grown n-type 4H-SiC homoepitaxial layer on the carrier lifetime is quantitatively analyzed, which is grown by a horizontal hot-wall chemical vapor deposition reactor.By microwave photoconductivity decay lifetime measurements and photoluminescence measurements, the results show that the average carrier lifetime of as-grown epilayer across the whole wafer is 2.59μs, while it is no more than 1.34μs near a triangle defect(TD). The scanning transmission electron microscope results show that the triangle structure defects have originated from 3C-SiC polytype and various types of as-grown stacking faults.Compared with the as-grown stacking faults, the 3C-SiC polytype has a great impact on the lifetime. The reduction of TD is essential to increasing the carrier lifetime of the as-grown thick epilayer.     

N型4H-SiC同质外延生长

利用水平式低压热壁CVD (LP-HW-CVD) 生长系统,台阶控制生长和衬底旋转等优化技术,在偏晶向的4H-SiC Si(0001) 晶面衬底上进行4H-SiC同质外延生长,生长温度和压力分别为1550℃和10⁴ Pa,用高纯N₂作为n型掺杂剂的4H-SiC原位掺杂技术,生长速率控制在5μm/h左右.采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM),傅里叶变换红外光谱(FTIR)和Hg/4H-SiC肖特基结构对同质外延表面形貌、厚度、掺杂浓度以及均匀性进行了测试.实验结果表明,4H-SiC同质外延在表面无明显缺陷,厚度均匀性1.74%, 1.99% 和1.32%(σ/mean),掺杂浓度均匀性为3.37%,2.39%和2.01%.同种工艺条件下,样品间的厚度和掺杂浓度误差为1.54%和3.63%,有很好的工艺可靠性. 关键词： 4H-SiC 同质外延生长 水平热壁CVD 均匀性     

酯基功能化离子液体作为钢/钢摩擦副润滑剂的摩擦学性能研究

合成了含酯基官能团的咪唑类离子液体;研究了其物化性质及热稳定性;通过与非功能化的烷基咪唑离子液体对比,在SRV摩擦磨损试验机上研究了常温及高温条件下酯基功能化离子液体作为钢/钢摩擦副润滑剂的摩擦学性能;用SEM和XPS对磨斑表面进行了分析.结果表明:酯基功能化离子液体具有很高的热稳定性;酯基团的引入使得离子液体的黏度有所增加,导致其在较低载荷下的减摩性能降低,但引入的酯基官能团增强了离子液体对金属表面的化学吸附力,使其抗磨性能显著提高,在高载荷下离子液体分解所产生的活性元素氟与摩擦副表面的金属发生摩擦化学反应,生成以氟化亚铁和氧化铁为主体的边界润滑膜,从而降低了摩擦和磨损.同时发现含有TF₂N^-阴离子的功能化离子液体较含有BF^-₄阴离子的功能化离子液体具有更好的抗磨性能;含有较长N-烷基链的功能化离子液体的抗磨减摩性能较好.     

油溶性二正辛基二硫代氨基甲酸铈的合成及其摩擦化学特性研究

以二正辛胺、Ｃｅ２Ｏ３和ＣＳ２为原料合成出一种新型油溶性润滑油极压抗磨添加剂二正辛基二硫代氨基甲酸铈（Ⅲ），并在环－块式摩擦磨损试验机和四球试验机上，测定了它的减摩性能、承载能力和抗磨性能等，同时还就其添加量对这些性能的影响进行了考察；利用俄歇电子能谱仪和Ｘ射线光电子能谱仪，对边界润滑状态下形成的摩擦表面膜的元素组成和化学状态进行了分析．结果表明：在给定的试验条件下，这种添加剂可以使ＩＳＯＶＧ３２石蜡基矿物油的摩擦系数明显降低，能够使这种油的初始卡咬负荷和烧结负荷分别提高２．２倍和４．７倍，可见其减摩和抗磨性能良好；在这种添加剂作用下形成的表面层内含有有机物膜、氧化物膜、化学反应膜和Ｃｅ３＋渗透层等，这是摩擦化学作用的产物     

不同氧化退火工艺下SiO2/SiC界面特性研究

The effect of the different re-oxidation annealing （ROA） processes on the SiO2/SiC interface charac- teristics has been investigated. With different annealing processes, the flat band voltage, effective dielectric charge density and interface trap density are obtained from the capacitance-voltage curves. It is found that the lowest interface trap density is obtained by the wet-oxidation annealing process at 1050 ℃ for 30 min, while a large num- ber of effective dielectric charges are generated. The components at the SiO2/SiC interface are analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy （XPS） testing. It is found that the effective dielectric charges are generated due to the existence of the C and H atoms in the wet-oxidation annealing process.     

新型柴油节能降污添加剂的研制

为改善柴油燃料的燃烧性能,充分利用有限的石油资源,通过对两种单剂的制备、筛选,研制了一种新型柴油节能降污表面修饰纳米添加剂 添加剂以0.01‰质量分数加入柴油中,能显著提高柴油的燃烧效率、减少残炭.     

SiC外延工艺中的气体流体模型

构建了热壁CVD法生长α-SiC外延的气体流体力学模型,并通过COMSOL模拟软件计算对基座的几何形状进行设计.结果表明基座的几何形状改变,影响衬底表面的气流分布;基座有一定的倾斜角度,可以使其表面气流分布均匀,有利于得到高质量的α-SiC外延片.     

某些有机硅及2—三丁基锡二茂铁衍生物的合成及表征

由Ｎ，Ｎ－二甲氨甲基二茂铁（Ｉ）单锂化后与三甲基氯硅烷（Ｍｅ３ＳｉＣｌ）反应，合成了２－（三甲硅基）二甲氨甲基二茂铁（Ⅱ）；Ⅱ再单锂化后与Ｍｅ３ＳｉＣｌ反应得到了２，５－二（三甲硅基）二甲氨甲基二茂铁（Ⅲ）；单锂化的Ｉ与Ｍｅ２ＳｉＣｌ２反是得到了双－（２－（二甲氨甲基）二茂铁基）二甲基硅烷（Ⅳ）双锂化Ｉ与二倍量的Ｍｅ３ＳｉＣｌ反应得到了２，１′－二（三甲硅基）二甲氨甲基二茂铁（Ｖ），由碘化（２－（