一种采用CMOS0．18μm制造的带EBG结构小型化的片上天线

采用标准0．18μmCMOS工艺设计制造了一种带EBG（电磁带隙）结构的小型化片上天线。该片上天线由一根长1．6mm的偶极子天线以及一对一维的尺寸240μm×340μmEBG结构构成。分别对该EBG结构以及片上天线的S11及S21进行了仿真和测试,结果表明该片上天线工作在20GHz,具有小型化的性能,同时具备三次谐波抑制的功能。     

基于玻璃回流的TGV衬底制备

针对MEMS器件背面引线的需求,提出了一种基于玻璃通孔(TGV)加工方法的10.16 cm(4 inch)圆片衬底的制备工艺流程.首先深硅刻蚀导电硅片,然后将硅片和玻璃片阳极键合,随后将键合后的玻璃-硅圆片经高温加热,使玻璃填充至硅片中,再依次研磨抛光玻璃-硅圆片的正面玻璃和背面硅,直至硅与嵌入玻璃在同一平面,最后得到了厚度为258μm的4 inch圆片衬底,其轮廓算术平均偏差、轮廓最大高度、微观不平度十点高度的平均值分别为13,71和49 nm.此外,测得圆片中硅导通柱电阻率为0.023Ω·cm.     

双基地雷达栅栏覆盖的二维布站优化方法

为解决双基地雷达栅栏覆盖的优化问题,该文提出一种基于相邻部署线的2维布站优化方法。该方法首先将感兴趣区域用矩形区域近似替代,再将矩形区域划分为多个相同的子栅栏覆盖区域;其次为了充分发挥发射器的效能,该方法不仅利用同条部署线上的发射器与接收器组成双基地雷达,同时也采用相邻部署线之间的发射器与接收器组成双基地雷达。为此提出一种新的基本布站模式,并以该模式为基础建立2维布站的优化模型。该模型以布站成本最小为准则,覆盖区域为约束条件。为了求解该优化模型,该文提出一种基于贪婪算法的求解方法,该方法可以确定2维布站中发射器与接收器的数量及其位置。最后,仿真试验和分析表明该文方法可以有效降低布站成本,减少发射器的使用数量,证明了该文布站优化方法的有效性。     

L-苯丙氨酸脲类化合物的合成工艺改进

以L-苯丙氨酸为原料,经甲酯化反应制得中间体丙谷胺酸甲酯盐酸盐(1);以三乙胺为缚酸剂,1经固体光气活化制得苯丙氨酸异氰酸酯后,再分别与伯胺反应合成了4个苯丙氨酸脲类化合物(3a~3d),收率90.7%~94.2%,其结构经1H NMR,MS和X-衍射确证。     

基于大高宽比CD-AFM探针的设计与制备

针对传统原子力显微镜(AFM)探针和关键尺寸原子力显微镜(CD-AFM)探针受限于针尖有效扫描高度较低,无法对深沟槽和大悬垂侧壁结构进行精准扫描成像的问题,提出了一种大高宽比针尖结构的新型CDAFM探针设计与制备方案。开发的新型CD-AFM 探针针尖有效高度为5.1~5.8 μm,高宽比达到14,相较于传统硅基CD-AFM 探针,其有效高度提升了约4倍。利用开发的探针完成了标称深度为2.3 μm、深宽比为4.6的深沟槽样品测试。     

一种采用CMOS0.18μm制造的带EBG结构小型化的片上天线

采用标准0.18μm CMOS工艺设计制造了一种带EBG(电磁带隙)结构的小型化片上天线。该片上天线由一根长1.6mm的偶极子天线以及一对一维的尺寸为240μm×340μmEBG结构构成。分别对该EBG结构以及片上天线的S11及S21进行了仿真和测试,结果表明该片上天线工作在20GHz,具有小型化的性能,同时具备三次谐波抑制的功能。