40nm工艺下反向窄沟道效应对VLSI电路设计的影响

反向窄沟道效应(INWE)是纳米级工艺下较为明显的版图效应,它使MOS管阈值电压Vth随着OD(扩散区)宽度的下降而下降,由此使得饱和电流Idsat提高并最终影响器件的速度.重点阐述了产生INWE的原因,同时将INWE考虑在标准单元库的设计当中.以TSMC N40LP 12T标准单元库为基础,根据INWE现象重新对电路结构(Circuit Structure)和版图(Layout)进行设计,最终能够在原有版图面积下整体性能提升5%以上,整体功耗升高控制在2%以内,从而得到有着更好PPA(Power Performance Area)指标的标准单元库器件.     

Chiplet技术研究与展望

近年来,摩尔定律的脚步放缓,先进工艺下的芯片制造成本越来越高,如何在合理成本控制下,保持原来的发展步伐成为半导体产业面临的重要问题,Chiplet技术作为一种可以延续摩尔定律的解决方案受到行业重视,但其广泛使用还存在诸多的问题.本文从Chiplet技术的集成、互连和设计流程等角度分析其特点和面临的挑战.首先,比较当前不...     

支持多媒体的光纤光缆技术

随着与多媒体相关的长距离、大容量通信系统的发展，光纤光缆得到了更广泛的应用，住友电气公司光纤工程部总经理在本文中论述了与多媒体相关的光纤光缆技术。     

PCBA-PTH焊点失效原因分析

介绍了一例典型的PCB过波峰焊后焊点润湿不良原因分析的案例.分析结果表明由于孔壁镀层厚度太薄、冲孔(钻孔)质量差以及孔焊盘锡铅镀层太薄等原因导致焊点润湿不良.     

DVB通用解扰算法的高性能IP核设计

提出了DVB通用解扰算法高性能IP核设计、验证和测试的方法,着重描述了IP核的可重用设计,使本IP核与多种总线能互连.整个设计采用VHDL语言设计,在Altera的FPGA和富士通CE66库上进行了综合和验证.最终在富士通CE66库上实现的IP核最高时钟频率为212.8MHz,数据率可以达到1.7024Gbps.     

无线局域网卡MAC控制器设计

研究了无线局域网网卡的实现框架.整个网卡是一个嵌入式实时系统,主要涉及MAC控制器等.它建立于SOC的基础之上,在Xilinx的EDK工具下进行软硬件的协同设计.其硬件实现包括32位的MicroBlaze软核,通用IP和一些用户定制的IP,以及它们总线连接实现.     

接触式IC卡控制器的设计与实现

描述了一种接触式IC卡接口控制器的设计,给出了接口控制器寄存器的配置、状态转换过程以及工作流程.此设计在IPoD(IP over DVB)项目中通过了FPGA的验证,而且基于Fujitsu的0.35mm的CE61工艺库通过了前后仿真,并用Design Compiler工具进行了综合.     

国内印制电路板产品失效现状与改进

对本实验室2019—2022年承接的国内印制电路板（PCB）制造商及相关用户委托的失效案例开展统计，发现PCB自身质量异常已成为引起印制电路板组装（PCBA）失效的最主要问题。进一步对PCB总体失效模式与失效原因分布、不同排名PCB企业失效案例数量分布、军用PCB失效模式分布及民用PCB失效模式分布等进行分析，发现导通失效、可焊性不良、分层爆板和绝缘失效是PCB行业最为常见的4大失效模式。生产制程缺陷是造成PCB失效的最主要原因（69%）；内资排前100名企业失效案例数量合计占比为48%，失效模式分布与整个PCB行业一致；军用PCB与民用PCB失效模式分布存在差异，军用PCB和民用PCB第一大失效模式分别为导通失效（49%）和可焊性不良（25%）。最后结合行业的失效问题现状，提出了改进建议。     

BGA"枕头效应"焊接失效原因

针对BGA的一类典型的焊接失效模式"枕头效应"选取了一个典型案例进行分析,详细介绍了分析的过程以及采用的手段,通过采用X-ray、金相切片、SEM&EDS和工艺模拟等分析手段,获得了导致BGA"枕头效应"产生的主要原因,即锡膏与焊接工艺不兼容造成其焊接不良.同时,以此总结和分析了其他导致此缺陷的原因和应采取的对策.     

物理发泡绝缘的现状和发展趋势

本文对比了物理发泡和化学发泡，阐述了物理发泡的主要优点，设备和发展趋势。