初-边值问题驻波解的渐近稳定性

本文考虑一带有人工粘性的二维定常等熵无旋平面流方程组的初-边值问题. 在一定的假设下,我们证明其驻波解是渐近稳定的.     

角度重叠模型参量

角度重叠模型(简称 AOM)作为配位场理论的新分支已经得到了广泛的应用。在传统的配位场理论中,复制实验数据的参量 D_q,D_(?),D_(?),D_(?)和 D_(?)仅体现分子的总体对称性,不能反映     

溅射法制备n型碲化镉薄膜的光电化学特性研究

采用溅射法制备了n型碲化镉薄膜。研究了不同沉积时间制备的n型碲化镉薄膜的形貌、结构和光学性质,以及薄膜厚度和退火工艺对n型碲化镉薄膜光电化学特性的影响。实验结果表明,溅射时间为25 min的碲化镉薄膜具有较好的PEC性能。退火工艺可以提高沉积的n型碲化镉薄膜的光电化学性能。当用饱和氯化镉溶液涂覆碲化镉薄膜并在真空中400 ℃退火时,n型碲化镉薄膜的光电化学性能最佳,光电流达到301 μA/cm²。     

气相色谱附双柱双氢火焰离子化检测器法同时测定环境空气中的总烃和非甲烷总烃

建立一种气相色谱法配双柱双氢火焰离子化检测器(FID)同时测定环境空气中的总烃和非甲烷总烃含量的方法。全玻璃注射器中的样品(保存时间尽可能少于4h)通过连接两个定量环的十通阀直接进入气相色谱,分离总烃和甲烷的柱子均采用填充柱,载气均为氮气,流量分别为25,20mL·min~(-1)。根据气体在总烃柱和甲烷柱保留时间对总烃和甲烷进行定性,保留时间分别为0.120,0.404min;分别以扣除氧峰面积的总烃面积和甲烷峰面积对总烃和甲烷定量,再通过2者差值计算非甲烷总烃含量。结果表明:总烃与氮气、甲烷与氮气的物质的量之比均在0.5～10.0μmol·mol~(-1)内与其对应的色谱峰面积呈线性关系,总烃、甲烷、非甲烷总烃的检出限(3.143s)分别为0.025,0.031,0.031mg·m~(-3)(以甲烷计)。在3个浓度水平下进行回收试验,总烃和甲烷的回收率分别为99.8%～104%,99.7%～103%;测定值的相对标准偏差(n=6)分别为1.3%～5.6%,1.0%～5.1%。采用本方法对2个采样点位采集的样品中的总烃、甲烷含量进行了测定,计算出的非甲烷总烃质量浓度都小于1.0mg·m~(-3),以这两个样品为基质进行加标回收试验,总烃和甲烷的回收率分别为102%～105%,107%～109%;测定值的相对标准偏差(n=5)分别为1.1%～1.7%,1.8%～1.9%。     

MOFs基材料在光催化CO2还原中的应用

系统总结了金属有机框架(MOFs)基材料在光催化还原CO₂中的最新研究进展, 其中包括MOFs直接作为光催化剂和作为复合光催化2个主要部分, 讨论了MOFs基光催化剂在催化还原CO₂方面展现出的独特优势, 并对MOFs基光催化剂的结构稳定性与CO₂转化效率等问题进行讨论与分析, 对未来发展趋势进行了展望.     

基于间接竞争原理的流式微球技术快速检测麦芽中赭曲霉毒素A

建立了一种快速、灵敏检测中药麦芽中赭曲霉毒素A(Ochratoxin A,OTA)含量的间接竞争流式微球方法.麦芽样品经60％甲醇/PBS提取,加入20％甲醇/PBS溶液稀释5倍后,离心取上清液制备样品.在编码荧光微球上偶联牛血清白蛋白-OTA(BSA-OTA)复合物,与样品中OTA竞争结合抗OTA特异性抗体,然后加入FITC-IgG孵育,离心洗涤后,用流式细胞仪检测微球表面的平均荧光强度,实现样品中OTA的准确定性定量测定.本方法检测OTA的半数抑制浓度IC50为1.20 ng/mL,相关系数R2=0.9892,检出限(IC10)为0.12 ng/mL,加样回收率为93.9％ ～ 97.4％,RSD＜3.6％.16份实际麦芽样品中检测到2个阳性样品,OTA的最高含量为3.83 μg/kg,未超出欧盟的OTA限量标准,与液相色谱-串联质谱(LC-MS/MS)法检测结果相一致.本方法简单、快速、灵敏、可靠,可拓展用于其它复杂基质中多种真菌毒素的定性与定量检测.     

基于坐位调膝法的中医推拿机器人设计与研究

本文针对膝关节骨性关节炎对中医推拿及保健康复设备的临床需求,设计了一种基于中医推拿手法(坐位调膝法)的推拿机器人,并对推拿机器人进行了仿真实验验证.仿真实验结果显示机械臂上下活动范围为0～20 mm,机械臂上下旋转活动范围为0～19°,机械手膝宽调节范围为0～20 mm,水平运动的范围为0～140 mm,均符合预期设计...     

SOI CMOS器件研究

利用0.35μm工艺条件实现了性能优良的小尺寸全耗尽的器件硅绝缘体技术(SOI)互补金属氧化物半导体(FD SOI CMOS)器件,器件制作采用双多晶硅栅工艺、低掺杂浓度源/漏(LDD)结构以及突起的源漏区。这种结构的器件防止漏的击穿,减小短沟道效应(SCE)和漏感应势垒降低效应(DIBL);突起的源漏区增加了源漏区的厚度并减小源漏区的串联电阻,增强了器件的电流驱动能力。设计了101级环形振荡器电路,并对该电路进行测试与分析。根据在3V工作电压下环形振荡器电路的振荡波形图,计算出其单级门延迟时间为45ps,远小于体硅CMOS的单级门延迟时间。     

关于串馈脉宽调制发射机中脉宽调制波纹的改进

在串馈脉宽调制(PDM)发射机中,由于调制管屏路存在分布电容,增长了调末管输出脉冲波的前后沿,因此形成一种不可避免的信号失真,国外称之为PDM波纹,国内称之为“先平峰谷后冒尖”。在我局研制的两部大功率串馈PDM发射机中,当负峰调幅度到85%～