CdTnTe（CZT）单晶体的Raman—PL光谱的再分析

本文对碲锌镉（CZT）（111）取向的Raman光谱和PL光谱作了分析。在Raman光谱中,用Stokes测量检测无峰,而反斯托克斯(anti-Stokes)测出了它的Raman光谱,其中在－125cm^-1处是横声子振动（TO）－142cm^-1处是纵声子振动（LO）。由于晶体的各向异性,在一个平面上,同一晶粒旋转不同方向TO／LO比值与（111）平面等能截面图相符。另它的PL光谱在807nm(1.535eV),FWHM为30nm（0．057eV),旋转方向对PL光谱无影响。故在生长HgCdTe单晶薄膜时,要注意衬底CZT的晶体摆放位置。     

热壁外延生长GaAs／Si薄膜质量研究

本文研究了用热壁外延（HWE）技术在Si衬底上不同工艺下生长的GaAs薄膜的拉曼（Raman)和荧光（PL）光谱。研究表明：在室温下,GaAs晶膜的Raman光谱的265cm^-1横声子（TO）峰和289cm^-1纵声子（LO）峰的峰值之比随晶膜质量的变化而逐渐变大、半高宽（FWHM）变窄且峰值频移动变小,而LC光谱出现在871nm光谱的FWHM较窄,表明所测得的薄膜为单晶晶膜,对同一晶膜也可判断出均匀程度。因此可以通过拉曼光谱和PLC光谱相结合评定外延膜晶体质量。     

红木色素稳定性的研究

用碱溶酸沉的处理方法对红木种子进行重复浸提,提取红木色素,在不同理化条件下,对红木色素的稳定性进行了研究。结果表明,该色素对ｐＨ值,光照,耐热等不同条件,表现出不同程度的稳定性,研究稳定性有利于色素在生产中科学地应用。     

碳纳米管掺杂聚丙烯腈/铜室温环化为石墨的拉曼光谱分析及形成机制研究

石墨质碳质材料因具有良好的电学、力学、热学性能而在电子设备,复合材料,电池,传感器中得到广泛应用,但针对生产能耗高,污染大,成本高,不可控等现状是急需解决的核心问题。因此,通过使用较简单和成本低的制造技术在纳米级器件中获得石墨碳结构的方法是一个有吸引力的探索领域。表面等离激元技术因具有环境友好、能耗低等优点而受到广泛关注,利用等离激元技术诱导大分子链状聚合物石墨化就是一种具有广阔前景的制备技术,而Cu作为贱金属具有产量高,价格便宜等优势。基于表面等离激元技术,利用激光辐射粗糙Cu表面上的聚丙烯腈(PAN)+碳纳米管(CNT),而使聚丙烯腈在金属表面被石墨化。通过改变基底刻蚀时间、退火温度、退火时间、激光强度系统地研究了PAN/Cu和PAN+CNT/Cu得到最佳石墨化条件。实验结果表明：以PAN作为探针分子,在2.5 mol·L^-1硝酸刻蚀15min的铜基底上,观察到了增强因子为1.39×10⁴的表面增强拉曼散射(SERS)效应。通过使用拉曼激光作为光源,在退火温度为140℃时,可以观察到石墨化的PAN分子结构缺陷较少,碳氮三键消失,其I     

拉曼-光荧光光谱热壁外延生长GaAs/Si薄膜晶体质量研究

本文研究了用热壁外延（HWE）技术在Si衬底上,不同工艺条件生长的GaAs薄膜的拉曼（Raman)和光荧光（PL）光谱。研究表明,在室温下,GaAs晶膜的拉曼光谱的265cm^-1模声子（TO）峰和290cm^-1纵声子（LO）峰的峰值和面积之比随晶膜质量的变化而逐渐变大,FWHM变窄且峰值频移变小,而PL光谱出现在900nm光谱的FWHM较窄,这表明所测得的薄膜为单晶晶膜,在另外一些工艺条件下生长的GaAs薄膜拉曼光谱峰形好,但测不出PL光谱,所生的膜不是单晶,同时对同一晶膜也可判断出其均匀程度,因此我们可以通过拉曼光谱和荧光光谱相结合评定外延膜晶体质量。     

海洛因的激光拉曼散射谱

给出海洛因的实测 X射线衍射谱、傅里叶红外吸收谱和激光拉曼散射谱 .由衍射谱测出 :海洛因属于正交晶系 ,原胞基矢是 a=8.0 0 3,b=14.373,c=16.0 92× 10 -10 m.又由吸收谱计算得 :海洛因的基本声子能量是 L O=0 .0 4 86,TO1=0 .0 555,TO2 =0 .0 616,LA=0 .0 2 57,TA1=0 .0 0 97,TA2 =0 .0 134 e V.海洛因所有的傅里叶红外吸收峰都是由这些基本声子能量按不同组合方式得到 ,并且每一个激光拉曼背向散射频移峰 ,也是由这些基本声子能量组合而成 .     

基于色度学与拉曼光谱的安徽淡水养殖白色珍珠研究

珍珠的颜色是影响其品质最关键因素之一.目前珍珠颜色的研究大多集中在不同颜色珍珠的组成元素、致色机理及结构差异,但对于如何直观分辨同种颜色珍珠的研究却很少.选用三批产自安徽不同时期的淡水养殖白色珍珠,对其进行色度学、激光拉曼光谱测试及宝石显微镜观察,建立白色系淡水养殖珍珠的白度值与拉曼光谱的关系并结合宝石显微镜的观察对其...     

室温铁磁Sr4-xErxCo4O10.5+δ(0.6≤x≤1.2)多晶电输运和磁性能

采用固相反应法制备Sr4-xErxCo4O10.5+δ(0.4≤x≤1.2)多晶,系统研究了Er掺杂对体系结构、电输运和磁性质的影响.X射线衍射结果表明室温下x=0.4时多晶为立方晶系,空间群为P3m3,0.6≤x≤1.2时,为四方晶系,空间群为I4/mmm,四方相晶格常数随着Er含量增加而减小.扫描电子显微镜结果表明,随着Er掺杂量增加,晶粒细化,晶界增加.采用四探针法测量多晶的电阻率-温度曲线,结果表明多晶样品在80～ 300 K为半导体电输运行为,且随Er化学计量比增加样品电阻率和热激活能增大.采用超导量子干涉仪测量多晶的磁化强度-温度曲线和磁滞回线,结果表明0.6≤x≤1.2时Sr4-xErxCo4O10.5+δ多晶具有室温铁磁性,Tc≈320 ～ 335 K,室温铁磁性可能源于A位Sr和Er离子有序及CoO4.5+δ层中Co离子自旋倾斜净磁矩不为零.     

Si衬底上热壁外延制备GaAs单晶薄膜材料

报道了采用热壁外延（ＨＷＥ）技术,在Ｓｉ表面生长ＧａＡｓ薄膜。先通过活化剂活化Ｓｉ表面,再采取两步生长法外延ＧａＡｓ单晶薄膜,最后进行断续多层循环退火（ＩＭＣＡ）。经电子探针（ＥＰＭＡ）、Ｒａｍａｎ光谱、Ｈａｌｌ测量和荧光（ＰＬ）光谱测试分析,证实在Ｓｉ表面获得了的４μｍ厚的ＧａＡｓ单晶薄膜。     

Y^（3＋）掺杂ZnO薄膜的结构及性能研究

采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上成功制备出Y3＋掺杂的透明ZnO薄膜。通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）和紫外分光光度计分析了掺杂Y3＋对ZnO薄膜结构和性能的影响。结果表明：Y3＋成功掺入氧化锌的晶格内;随着掺杂浓度的提高,薄膜的透光率并未表现出一定的规律性;随着退火温度升高,薄膜的透光率明显得到提高;在530℃退火时,薄膜的表面形貌形成网状结构且透光率达到70%左右。