热处理气氛及掺钴对NiO电极赝电容器性能的影响

在讨论赝电容形成机理的基础上,应用电化学阴极沉积法在Ni基片上制得Ni(OH)2膜,经热处理得到NiO膜。研究发现,Ni(OH)2在空气中热处理所得NiO在KOH水溶液中能形成赝电容,但在N2气氛中热处理所得的NiO在KOH水溶液中未能形成赝电容;钴掺入NiO使比电容量显著增大。