一种基于微结构的GaAs HEMT的压阻系数

GaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)位于微结构悬臂梁根部附近的最大应力处。介绍了GaAs HEMT和微结构的设计加工,并通过实验研究了GaAs HEMT在平行于HEMT生长方向(Z方向)单轴应力作用下的力电耦合特性。测试结果表明:GaAs HEMT不同偏压下压阻系数不同,且它的最大压阻系数为(1.72±0.33)×10-7Pa-1,比Si高出三个数量级。     

GaAs基共振遂穿二极管的材料结构研究

用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长了三种不同材料结构的RTD.主要针对阱结构进行了对比设计,然后对设计结构进行了常温下的I-V特性测试,测试结果中器件的PVCR值最高达到了6,V<,p>降低到了0.41 V.同时常温下测试了其中一种设计结构的敏感单元在四种不同发射极面积下的I-V特性曲线.最后对器件阱结构和发射...     

Temperature Effects of Piezoresistance Coefficient

A higher sensitivity is achieved by making use of a high electron mobility transistor （HEMT） as the piezoresistive device. The temperature dependence on the electromechanical coupling effect of accelerometers is reported. The current in the structure of our study decreases at the rate of 3.15 mA/℃ with the temperature going up at every region, and piezoresistance coefficient decreases because of the shift of energy and expansion of lattice.     

基于虚拟仪器的多通道MEMS 加速度计自动化测试系统

提出了一种7 通道并行测试的MEMS 加速度计自动化测试分析系统,该系统高度集成多种功能,实现了加速度计高效率测试与分析。在常规测试系统基础上,该系统通过上层应用程序Labview 实现了单一人机交互终端对振动台、高低温交变湿热试验箱和供电电源等设备的控制。灵敏度、线性度、重复性、滞回特性、温度特性、频响特性等参数指标,能够在控制终端通过分析测试数据同时获得,并以报表形式输出。在一般情况下,传感器测试效率可达50 只/h,大大高于传统的非自动化测试系统。经过评估测试,该测试系统还表现出较高的测试精度及稳定性和可靠性,测试误差小于2.5%。该自动化测试系统为进一步降低MEMS 传感器成本,促进其在物联网领域的大规模应用奠定了基础。