排序方式: 共有48条查询结果,搜索用时 671 毫秒
1.
罐装橙汁超高温瞬时灭菌的数值模拟研究 总被引:1,自引:0,他引:1
由于对橙汁的灭菌工艺没有进行精确的研究,在橙汁的实际生产中经常是使用过度灭菌来保证果汁灭菌的彻底。过度灭菌不但引起橙汁生产的能耗增加而且会导致橙汁的营养成分的损失。本文分析了果汁中常见的细菌,得出了灭菌结束时所需的最低温度;在此基础上利用数值模拟的方法对橙汁的超高温瞬时灭菌进行了计算。同时使用实验对CFD计算的结果进行了验证,误差在9.5%以内,表明CFD对橙汁的超高温灭菌的模拟是可行的。模拟得出了不同温度时的灭菌的最理想时间条件分别为:135℃(408 K),13 s;140℃(413K),12 s;145℃(418 K),12 s;150℃(423K),11 s。 相似文献
2.
硅胶表面铜离子印迹聚合物的制备和性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以Cu2+为模板,1,4-二羟基蒽醌为单体,硅胶为载体,γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷(KH-570)为偶联剂,利用表面离子印迹技术制备了Cu2+印迹聚合物。采用紫外光谱法、傅里叶变换红外光谱法(FT-IR)、扫描电镜对Cu2+印迹聚合物进行结构和表面形貌表征,并用原子吸收光谱法考察了吸附时间、吸附酸度、吸附温度、吸附浓度等对聚合物吸附性能的影响,研究了印迹聚合物在混合溶液中对Cu2+的选择性,将该聚合物重复利用6次,吸附量达到第一次的82%,并将该印迹聚合物应用到河水和自来水中,能够有效地测出水中铜离子的浓度,回收率分别为95.5%和107.2%。 相似文献
3.
4.
采用磁控溅射方法和热加工工艺在n型Si衬底上溅射不同厚度的MgO层并制备Fe-Si薄膜层,退火后形成Fe3Si/MgO/Si多层膜结构.利用MgO缓冲层对退火时Si衬底扩散原子进行屏蔽,并分析MgO层对Fe3Si薄膜结构和电学性质的影响.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和四探针测试仪对Fe3Si薄膜的晶体结构、表面形貌、断面形貌和电阻率进行表征与分析.研究结果表明:当MgO层厚度为20 nm时生成Fe0.9Si0.1薄膜,当厚度为50,100,150和200 nm时都生成了Fe3Si薄膜,生成的Fe3Si和Fe0.9Si0.1薄膜以(110)和(211)取向为主.随MgO缓冲层厚度增加,Si衬底扩散原子对Fe3Si薄膜的影响减小,Fe3 Si薄膜的晶格常数逐渐减小,晶粒大小趋向均匀,平均电阻率呈现先增大后减小趋势.研究结果为后续基于Fe3 Si薄膜的器件设计与制备提供了参考. 相似文献
5.
对铀原子和氮原子分别使用相对论有效原子实势和6-311+G(d)基组, 采用优选的密度泛函B3P86方法, 研究了铀本身产生自辐射场(-0.005–0.005 a.u.)作用下UN2基态分子的能隙Eg和谐振频率ν. 结果表明: UN2分子在自辐射场中反对称伸缩振动频率ν3(σg)和对称伸缩振动频率σ1(σg)与实验值1051.1 cm-1和1008.3 cm-1 基本符合; Eg随自辐射场场强的增大而趋于减少, 占据轨道的电子容易被激发至空轨道而形成激发态; UN2分子在自辐射场中趋于不稳定, N2, O2等更容易扩散到表面内层而腐蚀铀表面, 加剧了铀在自辐射场中的腐蚀. 相似文献
6.
大面阵焦平面成像探测器需要具有随机开窗和反转读出功能,同时需要降低功耗。文章基于标准数字电路设计流程。设计了一种新型的基于格雷码编码规律的寻址计数器,用于对阵列的行地址和列地址进行寻址,提高了寻址的可靠性。对设计进行RTL级仿真,结果表明该设计能够实现任意开窗和反转读出功能。采用TSMC90工艺库对1024×1024阵列规模的RTL级设计进行分析计算,结果显示供电电压为3.3V时,寻址计数器功耗仅为19.56μW,整体设计功耗仅为58.75μW,适用于大面阵焦平面读出电路的设计。 相似文献
7.
9.
总结千兆防火墙的实现方案,分析网络处理器(NP)的功能和体系结构。针对电子商务系统分布式系统的特点,设计一种基于NP的千兆电子商务应用系统安全防火墙设计方案,并对该方案中的关键技术进行探讨。 相似文献
10.
研究了一类高阶非线性系统停息时间可调的有限时间稳定性分析与控制器设计问题.利用有限时间Lyapunov定理的反步构造法,设计状态反馈有限时间控制器,并实现停息时间的适当调整. 相似文献